LTC442EMS8E是一种高频栅极驱动器，设计用于驱动同步降压DC/DC转换器拓扑中的两个N沟道MOSFET。强大的驱动器能力降低了具有高栅极电容的MOSFET的开关损耗。
LTC442EMS8E具有用于输入逻辑的单独电源，以匹配控制器IC的信号摆动。如果输入信号未被驱动，LTC442EMS8E将激活关闭模式，关闭两个外部MOSFET。输入逻辑信号被内部电平移位到自举电源，其可在高达地上42V的电压下工作。
LTC442EMS8E包含驱动器和逻辑电源上的欠压锁定电路，当出现欠压情况时，该电路可关闭外部MOSFET。LTC442EMS8E和LTC442-1具有不同的欠压锁定阈值，以适应各种应用。还内置了自适应直通保护功能，以防止MOSFET交叉传导电流造成的功率损失。
LTC442/LTC442-1采用热增强型8引脚MSOP封装。
特色
- 宽VCC范围：6V至9.5V
- 38V最大输入电源电压
- 自适应穿透保护
- 2.4A峰值上拉电流
- 5A峰值下拉电流
- 8ns TG下降时间驱动3000pF负载
- 12ns TG上升时间驱动3000pF负载
- 与PWM控制器匹配的单独电源
- 驱动双N沟道MOSFET
- 欠压锁定
- 热增强型MSOP封装
应用
- 分布式电源体系结构
- 高密度电源模块
（图片：引出线）
