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MIC5021YN

  • 描述:闸门类型: IGBT,N通道MOSFET 驱动器配置: 高压侧 通道类型: 单个的 电源电压: 12伏~36伏 供应商设备包装: 8-PDIP 安装类别: 通孔
  • 品牌: 美国微芯 (MICROCHIP)
  • 交期:2-3 工作日
渠道:
  • 自营
  • 得捷
  • 贸泽

起订量: 1

数量 单价 合计
1+ 39.23176 39.23176
10+ 34.81780 348.17801
50+ 32.12738 1606.36910
  • 库存: 371
  • 单价: ¥39.23177
  • 数量:
    - +
  • 总计: ¥39.23
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规格参数

  • 部件状态 可供货
  • 高侧最大电压 (自举) -
  • 输入类别 非反相
  • 波峰值电流输出 (灌入,提拉) -
  • 逻辑电压-VIL、VIH 0.8伏、2伏
  • 闸门类型 IGBT,N通道MOSFET
  • 制造厂商 美国微芯 (MICROCHIP)
  • 安装类别 通孔
  • 包装/外壳 8-DIP (0.300", 7.62毫米)
  • 供应商设备包装 8-PDIP
  • 工作温度 -40摄氏度~85摄氏度(TA)
  • 通道类型 单个的
  • 驱动器数量 one
  • 驱动器配置 高压侧
  • 电源电压 12伏~36伏
  • 上升/下降时长(典型值) 400ns, 400ns

MIC5021YN 产品详情

MIC5021YN高端MOSFET驱动器设计为工作频率高达100kHz(5kHz PWM,占空比为2%至100%),是高速应用的理想选择,如电机控制、SMPS(开关模式电源)和使用IGBT的应用。MIC5021YN也可以作为断路器运行,无论是否自动重试。

输入上的上升沿或下降沿导致栅极输出上的电流源脉冲或吸收脉冲。该输出电流脉冲可以在大约550ns内打开2000pF MOSFET。必要时,MIC5021YN提供有限电流(<2mA),以保持输出状态。

具有50mV跳闸电压的过电流比较器使MIC5021YN非常适合与电流感应MOSFET一起使用。可以使用外部低值电阻器代替感测MOSFET,以实现更精确的过电流控制。从CT引脚到接地的可选外部电容器可用于将电流关断占空比(死区时间)控制在20%至<1%之间。通过从CT到VDD的可选上拉电阻器,占空比可从20%至约75%。

MIC5021YN有8引脚SOIC和塑料DIP封装。MIC502x系列的其他成员包括具有交叉传导互锁的MIC5020低端驱动器和MIC5022半桥驱动器。

特色

  • +12V至+36V操作
  • 550ns上升/下降时间驱动2000pF
  • TTL兼容输入,带内部下拉电阻器
  • 过电流限制
  • 门到源保护
  • 内部充油泵
  • 在全温度和工作电压范围内保证100kHz运行
  • 与电流感应MOSFET兼容
  • 电流源驱动降低EMI
MIC5021YN所属分类:栅极驱动器,MIC5021YN 由 美国微芯 (MICROCHIP) 设计生产,可通过久芯网进行购买。MIC5021YN价格参考¥39.231769,你可以下载 MIC5021YN中文资料、PDF数据手册、Datasheet数据手册功能说明书,可查询MIC5021YN规格参数、现货库存、封装信息等信息!
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