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NCP5181DR2G

  • 描述:闸门类型: N通道MOSFET 驱动器配置: 半桥 通道类型: 独立的 电源电压: 10伏~20伏 供应商设备包装: 8-SOIC 安装类别: 表面安装
  • 品牌: 安盛美 (onsemi)
  • 交期:2-3 工作日
渠道:
  • 自营
  • 得捷
  • 贸泽

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起订量: 1

数量 单价 合计
1+ 16.41575 16.41575
10+ 14.40845 144.08453
30+ 13.14731 394.41957
100+ 11.86516 1186.51670
500+ 11.28714 5643.57350
1000+ 11.03492 11034.92000
  • 库存: 65407
  • 单价: ¥16.41576
  • 数量:
    - +
  • 总计: ¥16.42
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规格参数

  • 部件状态 可供货
  • 通道类型 独立的
  • 驱动器数量 two
  • 安装类别 表面安装
  • 包装/外壳 8-SOIC (0.154", 3.90毫米 Width)
  • 供应商设备包装 8-SOIC
  • 制造厂商 安盛美 (onsemi)
  • 输入类别 非反相
  • 驱动器配置 半桥
  • 闸门类型 N通道MOSFET
  • 工作温度 -40摄氏度~150摄氏度(TJ)
  • 电源电压 10伏~20伏
  • 高侧最大电压 (自举) 600 V
  • 上升/下降时长(典型值) 40ns, 20ns
  • 逻辑电压-VIL、VIH 0.8伏、2.3伏
  • 波峰值电流输出 (灌入,提拉) 1.4A、2.2A

NCP5181DR2G 产品详情

NCP55181DR2G是一种高压功率Mosfet驱动器,提供两个输出,用于直接驱动半桥(或任何其他高侧+低侧配置)中布置的2个N沟道功率Mosfet。它使用自举技术确保高侧功率开关的正确驱动。驱动器使用两个独立的输入来适应任何拓扑(包括半桥、不对称半桥、有源箝位和全桥)。

特色

  • 高压范围:高达600 V
  • dV/dt抗扰度50 V/nsec
  • 栅极驱动电源范围从10 V到20 V
  • 高和低DRV输出
  • 输出源/汇电流能力1.1 A/2.4 A
  • 3.3 V和5 V输入逻辑兼容
  • 输入引脚上高达Vcc摆动
  • 两个信道之间的匹配传播延迟
  • 输出与输入同相
  • 适应所有拓扑的独立逻辑输入
  • 两个通道的欠VCC锁定(UVLO)
  • 引脚对引脚兼容IR2181(S)

应用

  • UPS系统用桥式逆变器
  • 高功率能源管理
  • 半桥功率转换器
  • 全桥转换器
  • 任何互补驱动转换器(不对称半桥、有源箝位)


(图片:引出线)


NCP5181DR2G所属分类:栅极驱动器,NCP5181DR2G 由 安盛美 (onsemi) 设计生产,可通过久芯网进行购买。NCP5181DR2G价格参考¥16.415758,你可以下载 NCP5181DR2G中文资料、PDF数据手册、Datasheet数据手册功能说明书,可查询NCP5181DR2G规格参数、现货库存、封装信息等信息!

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