特色
- 驱动N沟道MOSFET半桥
- SOIC、DFN和TDFN封装选项
- SOIC、DFN和TDFN封装符合IPC-2221规定的100V导线间距指南
- 无铅(符合RoHS)
- 自举电源最大电压为114VDC
- 片上1W自举二极管
- 多MHz电路的快速传播时间
- 驱动1nF负载,典型上升/下降时间为9ns/7.5ns
- CMOS兼容输入阈值(ISL2110)
- 3.3V/TTL兼容输入阈值(ISL2111)
- 独立输入提供灵活性
- 无启动问题
- 输出不受电源故障、HS低于地面振铃或HS在高dv/dt下回转的影响
- 低功耗
- 宽电源电压范围(8V至14V)
- 电源欠压保护
- 1.6W/1W典型输出上拉/下拉电阻