SIC620CD-T1-GE3

Vishay Semiconductors SiC620集成功率级针对同步降压应用进行了优化，以提供高电流、高效率和高功率密度性能。SiC620封装在Vishay专有的5mm x 5mm MLP封装中，使电压调节器设计能够提供每相高达60A的连续电流。内部功率MOSFET利用Vishay最先进的第四代TrenchFET技术，提供行业基准性能，显著降低开关和传导损耗。SiC620集成了先进的MOSFET栅极驱动器IC，其特点是：高电流驱动能力自适应死区时间控制集成自举肖特基二极管热警告（THWn），可警告系统结温过高零电流检测，以提高轻负载效率。热增强型PowerPAK� MLP55-31L封装驱动器还与广泛的PWM控制器兼容，并支持三态PWM、3.3V（SiC620A）/5V（SiC6 20）PWM逻辑。