EiceDRIVER公司™ 2EDF7x75F非常适合在噪声大功率开关环境中对高侧和低侧MOSFET的一次侧控制进行稳健和稳定的操作。强大的4A/8A源/宿双沟道栅极驱动器在驱动高电压和中压MOSFET（如CoolMOS）时提供快速接通/断开™ 或OptiMOS™. 两个输出通道都是单独隔离的，可以灵活地部署为具有非常高的150V/ns CMTI（共模噪声抗扰度）的浮栅驱动器。
VDDi输入电源支持宽电压范围SLDO模式，以节省板载LDO。对于较慢的开关或驱动较小的MOSFET，1A/2A峰值电流产品变体EiceDRIVER™ 2EDF7175F，可用于DSO-16窄体封装，爬电距离为4mm。
特色
- 快速电源切换，定时准确
- 针对区域和低成本系统BOM进行了优化
- 抗开关噪声的鲁棒设计
- 输出到输出通道隔离
- 输入输出通道隔离
- 功率效率和高分辨率PWM控制
- 较小形状系数的冷却器组件
- 保护和安全操作
- 灵活分配任何驱动程序通道
- 浮式闸门驱动和监管安全
- 实现更高功率级效率和更高功率密度设计
- 提高长期竞争成本地位、集成和大规模生产能力
- 通过改进电源开关的安全操作，提高最终产品的使用寿命
- 通过接地隔离、驱动器接近MOSFET或使用开尔文源MOSFET降低EMI
- 满足构建隔离AC-DC、DC-DC半桥拓扑的要求
应用
- 电信DC-DC
- 服务器
- 工业SMPS
- 不间断电源
- 电池
- 电动汽车充电
- 智能电网
