特色
- 驱动两个N沟道MOSFET
- 自适应穿透保护
- 0.4Ω 电阻和4A吸收电流能力
- 支持高开关频率
- 快速输出上升和下降时间
- 低三态保持时间(20ns)
- 支持3.3V和5V PWM输入
- 低静态电源电流
- 通电复位
- 用于散热的可膨胀底部铜垫
- 双平面无引线(DFN)封装
- 符合JEDEC PUB95 MO-220 QFN四平无引线产品概述
- 近芯片级封装封装;提高PCB效率,外形更薄
- 无铅(符合RoHS)
起订量: 1000
数量 | 单价 | 合计 |
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1000+ | 16.69198 | 16691.98700 |
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