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LM5112SD

  • 描述:闸门类型: N通道MOSFET 驱动器配置: 低压侧 通道类型: 单个的 电源电压: 3.5伏~14伏 供应商设备包装: 6-WSON (3x3) 安装类别: 表面安装
  • 品牌: 德州仪器 (Texas)
  • 交期:5-7 工作日
渠道:
  • 自营
  • 得捷
  • 贸泽

起订量: 249

数量 单价 合计
1000+ 10.34286 10342.86100
  • 库存: 0
  • 单价: ¥8.76391
  • 数量:
    - +
  • 总计: ¥2,182.21
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规格参数

  • 制造厂商 德州仪器 (Texas)
  • 驱动器配置 低压侧
  • 输入类别 反转,非反转
  • 高侧最大电压 (自举) -
  • 安装类别 表面安装
  • 闸门类型 N通道MOSFET
  • 通道类型 单个的
  • 驱动器数量 one
  • 工作温度 -40摄氏度~125摄氏度(TJ)
  • 包装/外壳 6-WDFN Exposed Pad
  • 供应商设备包装 6-WSON (3x3)
  • 电源电压 3.5伏~14伏
  • 上升/下降时长(典型值) 14ns, 12ns
  • 部件状态 不适用于新设计
  • 逻辑电压-VIL、VIH 0.8伏、2.3伏
  • 波峰值电流输出 (灌入,提拉) 3A、7A
  • 种类 -
  • 特点 -

LM5112SD 产品详情

LM5112SD器件MOSFET栅极驱动器在微小的6引脚WSON封装(SOT-23等效封装)或8引脚暴露焊盘MSOP封装中提供高峰值栅极驱动电流,改善了高频操作所需的功耗。复合输出驱动器级包括并联操作的MOS和双极晶体管,它们一起从电容负载吸收超过7A的峰值。结合MOS和双极器件的独特特性,减少了驱动电流随电压和温度的变化。提供欠压锁定保护以防止由于栅极导通电压不足而损坏MOSFET。LM5112SD器件提供反相和非反相输入,以满足单个器件类型的反相和非反向栅极驱动的要求。

特色

  • LM5112-Q1获得汽车应用资格
  • AEC-Q100 1级合格
  • 按汽车级流程制造
  • 复合CMOS和双极输出减少输出电流变化
  • 7-A漏极和3-A源极电流
  • 快速传播时间:25 ns(典型)
  • 快速上升和下降时间:14 ns或12 ns
    2-nF负载下的上升或下降
  • 反相和非反相输入可提供具有单个设备的任一配置
  • 供电轨欠压锁定保护
  • 专用输入接地(IN_REF)
    分供或单供操作
  • 增强型6针WSON封装
    (3 mm×3 mm)或热增强型
    MSOP PowerPAD包
  • 从VCC到VEE的输出摆动,相对于输入接地为负


LM5112SD所属分类:栅极驱动器,LM5112SD 由 德州仪器 (Texas) 设计生产,可通过久芯网进行购买。LM5112SD价格参考¥8.763909,你可以下载 LM5112SD中文资料、PDF数据手册、Datasheet数据手册功能说明书,可查询LM5112SD规格参数、现货库存、封装信息等信息!

德州仪器 (Texas)

德州仪器 (Texas)

德州仪器公司(TI)是一家开发模拟IC和嵌入式处理器的全球半导体设计和制造公司。通过雇用世界上最聪明的人,TI创造了塑造技术未来的创新。如今,TI正在帮助超过10万名客户改变未来。

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