特色
- 在三相桥配置中独立驱动三个高侧N沟道MOSFET
- 引导电源最大电压至95VDC
- 7V至15V的偏压电源操作
- 驱动1000pF负载,典型上升时间为35ns,下降时间为30ns
- CMOS/TTL兼容输入
- 可编程欠压保护
- 无铅可用
起订量: 2500
数量 | 单价 | 合计 |
---|---|---|
2500+ | 27.81997 | 69549.94750 |
温馨提示: 请填写以下信息,以便客户代表及时与您沟通联系。
Renesas Electronics Corporation通过完整的半导体解决方案提供值得信赖的嵌入式设计创新,使数十亿连接的智能设备能够改善人们的工作和生活方式—安全可靠。作为微控制器...