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NCV5183DR2G

  • 描述:闸门类型: N通道MOSFET 驱动器配置: 半桥 通道类型: 独立的 电源电压: 9V~18V 供应商设备包装: 8-SOIC 安装类别: 表面安装
  • 品牌: 安盛美 (onsemi)
  • 交期:2-3 工作日
渠道:
  • 自营
  • 得捷
  • 贸泽

起订量: 1

数量 单价 合计
1+ 16.03741 16.03741
10+ 13.73584 137.35848
30+ 12.30656 369.19689
100+ 10.83524 1083.52410
500+ 9.61614 4808.07250
  • 库存: 0
  • 单价: ¥16.03742
  • 数量:
    - +
  • 总计: ¥16.04
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规格参数

  • 部件状态 可供货
  • 通道类型 独立的
  • 驱动器数量 two
  • 安装类别 表面安装
  • 包装/外壳 8-SOIC (0.154", 3.90毫米 Width)
  • 供应商设备包装 8-SOIC
  • 制造厂商 安盛美 (onsemi)
  • 输入类别 非反相
  • 驱动器配置 半桥
  • 闸门类型 N通道MOSFET
  • 高侧最大电压 (自举) 600 V
  • 工作温度 -40摄氏度~125摄氏度(TJ)
  • 上升/下降时长(典型值) 12ns, 12ns
  • 逻辑电压-VIL、VIH 1.2伏、2.5伏
  • 电源电压 9V~18V
  • 波峰值电流输出 (灌入,提拉) 4.3A, 4.3A
  • 种类 -
  • 特点 -

NCV5183DR2G 产品详情

MOSFET和IGBT驱动器,ON半导体

低压侧、高压侧和半桥电路中MOSFET和IGBT的功率驱动器。

特色

  • 输出源/汇电流能力4.3 A/4.3 A
  • 可以驱动大型MOSFET、IGBT
  • 将允许的负桥脚电压摆动扩展到–10 V
  • 坚固的设计
  • 电压范围高达600 V,dV/dt抗扰度±50 V/ns
  • 栅极驱动电源范围从9 V到18 V
  • 符合AEC Q100要求的汽车

应用

  • 高压同步降压转换器
  • 半桥和全桥转换器
  • 电动动力转向和电机控制
  • 电信和数据通信电源
  • 推拉转换器
  • 汽车动力转换
NCV5183DR2G所属分类:栅极驱动器,NCV5183DR2G 由 安盛美 (onsemi) 设计生产,可通过久芯网进行购买。NCV5183DR2G价格参考¥16.037417,你可以下载 NCV5183DR2G中文资料、PDF数据手册、Datasheet数据手册功能说明书,可查询NCV5183DR2G规格参数、现货库存、封装信息等信息!

安盛美 (onsemi)

安盛美 (onsemi)

onsemi正在推动节能创新,使客户能够减少全球能源使用。该公司提供全面的节能电源和信号管理、逻辑、离散和定制解决方案组合,以帮助设计工程师解决其在汽车、通信、计算、消费、工业、LED照明、医疗、军事/...

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