L6206QTR器件是一种DMOS双全桥,专为电机控制应用而设计,采用BCD技术实现,将隔离的DMOS功率晶体管与CMOS和双极电路结合在同一芯片上。L6206QTR器件在PowerSO36和SO24(20+2+2)封装中提供,具有热关机和高侧功率MOSFET上的非耗散过电流检测功能,以及可轻松用于实施过电流保护的诊断输出。
特色
- 工作电源电压为8至52 V
- 5.6 A输出峰值电流(2.8 A DC)
- RDS(打开)0.3Ω典型值。T值j=25°C
- 工作频率高达100 KHz
- 可编程高压侧过电流检测和保护
- 诊断输出