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CSD88539NDT是MOSFET 2N-CH 60V 15A 8SOIC，包括NexFET？系列，它们设计用于使用Digi-ReelR替代包装包装，单位重量如数据表注释所示，用于0.019048盎司，提供SMD/SMT等安装方式功能，封装外壳设计用于8-SOIC（0.154“，3.90mm宽）以及Si技术，其工作温度范围为-55°C~150°C（TJ）。此外，安装类型为表面安装，器件提供2通道数量的通道，器件具有8-SO供应商器件封装，配置为双通道，FET类型为2 N通道（双通道），最大功率为2.1W，晶体管类型为2 N沟道，漏极至源极电压Vdss为60V，输入电容Cis-Vds为741pF@30V，FET特性为逻辑电平门，电流连续漏极Id 25°C为15A，最大Id Vgs上的Rds为28mOhm@5A，10V，Vgs最大Id为3.6V@250μA，栅极电荷Qg-Vgs为9.4nC@10V，Pd功耗为2.1W，最大工作温度范围为+150℃，最小工作温度范围-55℃，下降时间为4ns，上升时间为9ns，Vgs栅源极电压为20V，Id连续漏极电流为11.7A，Vds漏极-源极击穿电压为60V，Vgs栅极-源极阈值电压为3V，Rds漏极-源极电阻为27mOhm，晶体管极性为N沟道，典型关断延迟时间为14ns，典型接通延迟时间为5ns，Qg栅极电荷为7.2nC，正向跨导最小值为19S，沟道模式为增强。
CSD95372AQ5M是IC SYNC BUCK NEXFET 12SON，包括4.5 V~5.5 V电源，设计用于4.5 V~16 V电压负载，类型如数据表注释所示，用于高低压侧驱动器，提供NEXFET等商标功能，技术设计用于功率MOSFET，以及12-LSON（5x6）供应商设备包，该设备也可以用作NexFET？系列此外，该封装为Digi-ReelR替代封装，该器件采用12功率LFDFN封装盒，该器件具有半桥输出配置，其工作温度范围为-55°C~150°C（TJ），安装方式为SMD/SMT，安装类型为表面安装，其最低工作温度范围是-55°C，它的最大工作温度范围为+150℃，负载类型为感应式，接口为PWM，特点为自举电路、状态标志和故障保护为过热、击穿、UVLO，电流峰值输出为90A，电流输出通道为60A，配置为PowerStage，应用为同步降压转换器。
CSD95372BQ5M是IC SYNC BUCK NEXFET 12SON，包括同步降压转换器应用程序，它们设计为在PowerStage配置下运行，数据表注释中显示了60A中使用的电流输出通道，提供电流峰值输出功能，如90A，故障保护设计用于电流限制、过温、穿透、短路、UVLO、，该设备还可以用作PWM接口。此外，负载类型为感应式，该设备为表面安装型，其工作温度范围为-55°C~150°C（TJ），输出配置为半桥，包装箱为12功率LFDFN，包装为Digi-ReelR交替包装，系列为NexFET？，供应商设备包为12-LSON（5x6），技术为功率MOSFET，商品名为NexFET，电压负载为4.5V～16V，电压供应为4.5V至5.5V。
