MD1812K6-G是一种高速四MOSFET驱动器。它被设计为驱动用于医疗超声应用的两个N沟道和两个P沟道高电压DMOS FET，但是可以用于任何需要电容负载的高输出电流的应用中。MD1812K6-G的输入级是一个高速电平转换器，能够从1.8至5.0V幅度的逻辑输入信号进行操作。自适应阈值电路用于将电平转换器阈值设置为输入逻辑0和逻辑1电平的平均值。电平转换器使用专有电路，提供直流耦合和高速操作。MD1812K6-G的输出级具有独立的电源连接，可独立于驱动器电源电压选择输出信号L和H电平。例如，输入逻辑电平可为0V和1.8V，控制逻辑可由+5V和-5V供电，输出L和H电平可在-5.0至+5.0V范围内的任何地方变化。输出级的峰值电流可达±2.0安培，具体取决于所使用的电源电压和负载电容。OE引脚具有双重用途。首先，其逻辑H电平用于计算信道输入电平转换器的阈值电压电平。其次，当OE为低时，输出被禁用，A和C输出为高，B和D输出为低。这有助于对耦合电容器进行适当的预充电，该耦合电容器可以在外部PMOS和NMOS的栅极驱动电路中串联使用。内置电平移位器提供PMOS栅极负偏置驱动。这使得用户定义的阻尼控制能够产生归零双极输出脉冲。
特色
- 6.0ns上升和下降时间
- 2.0A峰值输出源/汇电流
- 1.8至5.0V输入CMOS兼容
- 智能逻辑阈值
- 低抖动设计
- 四路匹配通道
- 驱动两个N和两个P沟道MOSFET
- 输出可在地面以下摆动
- 用于负栅极偏置的内置电平转换器
- 归零应用的用户定义阻尼
- 低电感四芯扁平无引线封装
- 热增强包装
