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UCC27211ADRMR

  • 描述:闸门类型: N通道MOSFET 驱动器配置: 半桥 通道类型: 独立的 电源电压: 8V ~ 17V 供应商设备包装: 8-VSON (4x4) 安装类别: 表面安装
  • 品牌: 德州仪器 (Texas)
  • 交期:2-3 工作日
渠道:
  • 自营
  • 得捷
  • 贸泽

起订量: 1

数量 单价 合计
3000+ 30.02557 90076.71600
  • 库存: 3000
  • 单价: ¥30.02557
  • 数量:
    - +
  • 总计: ¥30.03
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规格参数

  • 制造厂商 德州仪器 (Texas)
  • 部件状态 可供货
  • 通道类型 独立的
  • 驱动器数量 two
  • 波峰值电流输出 (灌入,提拉) 4A,4A
  • 安装类别 表面安装
  • 输入类别 非反相
  • 驱动器配置 半桥
  • 闸门类型 N通道MOSFET
  • 工作温度 -40摄氏度~140摄氏度(TJ)
  • 高侧最大电压 (自举) 120伏
  • 包装/外壳 8-VDFN Exposed Pad
  • 电源电压 8V ~ 17V
  • 供应商设备包装 8-VSON (4x4)
  • 上升/下降时长(典型值) 7.2ns, 5.5ns
  • 逻辑电压-VIL、VIH 1.3伏、2.7伏
  • 种类 -
  • 特点 -

UCC27211ADRMR 产品详情

UCC27211ADRMR驱动器基于流行的UCC27201 MOSFET驱动器;但是,该设备提供了几个显著的性能改进。峰值输出上拉和下拉电流已增加到4-A源极和4-A汇极,上拉和下拉电阻已降低到0.9Ω,从而允许在通过MOSFET的米勒高原过渡期间以最小的开关损耗驱动大功率MOSFET。输入结构可以直接处理–10 VDC,这增加了鲁棒性,还允许直接连接到栅极驱动变压器,而无需使用整流二极管。输入也独立于电源电压,最大额定值为20伏。

特色

  • 在高压侧驱动两个N沟道MOSFET
    和低侧配置,具有独立
    输入
  • 最大启动电压120V DC
  • 4-A汇点,4-A源输出电流
  • 0.9-Ω上拉和下拉电阻
  • 输入引脚可耐受-10 V至+20 V
    与电源电压范围无关
  • TTL或伪CMOS兼容输入版本
  • 8-V至17-V VDD工作范围,(20-V ABS
    最大值)
  • 1000 pF时7.2-ns上升和5.5-ns下降时间
    负载
  • 快速传播延迟时间(典型值为20 ns)
  • 4-ns延迟匹配
  • 高压侧对称欠压锁定
    和低端驱动器
  • 所有可用的行业标准软件包
    • 土壤-8
    • 4毫米×4毫米SON-8
    • 4毫米×4毫米SON-10
  • 规定温度为-40至+140°C


UCC27211ADRMR所属分类:栅极驱动器,UCC27211ADRMR 由 德州仪器 (Texas) 设计生产,可通过久芯网进行购买。UCC27211ADRMR价格参考¥30.025572,你可以下载 UCC27211ADRMR中文资料、PDF数据手册、Datasheet数据手册功能说明书,可查询UCC27211ADRMR规格参数、现货库存、封装信息等信息!

德州仪器 (Texas)

德州仪器 (Texas)

德州仪器公司(TI)是一家开发模拟IC和嵌入式处理器的全球半导体设计和制造公司。通过雇用世界上最聪明的人,TI创造了塑造技术未来的创新。如今,TI正在帮助超过10万名客户改变未来。

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