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NCP81080MNTBG

  • 描述:闸门类型: N通道MOSFET 驱动器配置: 半桥 通道类型: 同步的 电源电压: 5.5V ~ 20V 供应商设备包装: 8-DFN (2x2) 安装类别: 表面安装
  • 品牌: 安盛美 (onsemi)
  • 交期:2-3 工作日
渠道:
  • 自营
  • 得捷
  • 贸泽

起订量: 1

数量 单价 合计
1+ 8.75437 8.75437
10+ 7.44068 74.40689
30+ 6.72604 201.78141
  • 库存: 3465
  • 单价: ¥8.75437
  • 数量:
    - +
  • 总计: ¥8.75
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规格参数

  • 部件状态 可供货
  • 驱动器数量 two
  • 高侧最大电压 (自举) -
  • 安装类别 表面安装
  • 制造厂商 安盛美 (onsemi)
  • 驱动器配置 半桥
  • 通道类型 同步的
  • 闸门类型 N通道MOSFET
  • 工作温度 -40摄氏度~140摄氏度(TJ)
  • 输入类别 晶体管-晶体管逻辑电路
  • 电源电压 5.5V ~ 20V
  • 包装/外壳 8-VFDFN Exposed Pad
  • 供应商设备包装 8-DFN (2x2)
  • 逻辑电压-VIL、VIH 1.2伏、1.8伏
  • 波峰值电流输出 (灌入,提拉) 500毫安, 800毫安
  • 上升/下降时长(典型值) 19ns, 17ns

NCP81080MNTBG 产品详情

ON Semiconductor NCP81075双MOSFET栅极驱动器设计用于驱动同步降压转换器中的高侧和低侧功率MOSFET的栅极。NCP81075集成了驱动器IC和片上自举二极管,无需外部分立二极管。高浮顶驱动器设计可容纳高达180V的HB电压。低压侧和高压侧独立控制,并在转弯之间匹配4ns?打开并转动?彼此分离。独立下?当驱动电压低于特定阈值时,为高压侧和低压侧驱动器提供电压锁定,迫使输出变低。

特色

  • 驱动高低侧的两个N沟道MOSFET
  • 用于高端栅极驱动的集成自举二极管
  • 自举电源电压范围高达180V
  • 0.5A源极,0.8A汇极输出电流能力
  • 驱动1nF负载,典型上升/下降时间为19ns/17ns
  • 宽电源电压范围5.5V至20V
  • 2 ns延迟匹配(典型)
  • 驱动电压欠压锁定(UVLO)保护
  • 工作结温度范围-40°C至140°C

应用

  • 降压式变换器
  • 隔离电源
  • D级音频放大器
  • 两个开关和有源钳位正激转换器
  • 电动机
NCP81080MNTBG所属分类:栅极驱动器,NCP81080MNTBG 由 安盛美 (onsemi) 设计生产,可通过久芯网进行购买。NCP81080MNTBG价格参考¥8.754370,你可以下载 NCP81080MNTBG中文资料、PDF数据手册、Datasheet数据手册功能说明书,可查询NCP81080MNTBG规格参数、现货库存、封装信息等信息!

安盛美 (onsemi)

安盛美 (onsemi)

onsemi正在推动节能创新,使客户能够减少全球能源使用。该公司提供全面的节能电源和信号管理、逻辑、离散和定制解决方案组合,以帮助设计工程师解决其在汽车、通信、计算、消费、工业、LED照明、医疗、军事/...

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