特色
- 驱动高低侧的两个N沟道MOSFET
- 用于高端栅极驱动的集成自举二极管
- 自举电源电压范围高达180V
- 0.5A源极,0.8A汇极输出电流能力
- 驱动1nF负载,典型上升/下降时间为19ns/17ns
- 宽电源电压范围5.5V至20V
- 2 ns延迟匹配(典型)
- 驱动电压欠压锁定(UVLO)保护
- 工作结温度范围-40°C至140°C
应用
- 降压式变换器
- 隔离电源
- D级音频放大器
- 两个开关和有源钳位正激转换器
- 电动机
起订量: 1
数量 | 单价 | 合计 |
---|---|---|
1+ | 8.75437 | 8.75437 |
10+ | 7.44068 | 74.40689 |
30+ | 6.72604 | 201.78141 |
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