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IXDD609SITR是IC GATE DVR 9A NON-INV 8SOIC，包括IXDD609系列，它们设计用于低侧类型，包装如数据表说明所示，用于磁带和卷轴（TR），提供540 mg等单位重量功能，商品名设计用于Clare，以及表面贴装包装箱，其工作温度范围为22ns、15ns。此外，安装类型为-55°C~150°C（TJ），该器件采用8-SOIC（0.154英寸，3.90mm宽）暴露焊盘供应商设备包，该设备具有1个分辨率位，数据接口为单个，电压供应模拟为非反相，ADC DAC数量为，Sigma Delta为4.5 V~35 V，S/N比ADC DAC db Typ为0.8V、3V，动态范围ADC DAC db Typ为9A、9A，工作电源电流为10 uA，下降时间为15 ns，上升时间为22ns，电源电压Max为35V，电源电压Min为4.5V。
IXDD609SIATR是IC GATE DVR 9A NON-INV 8-SOIC，包括非反相电压模拟电源，它们设计为以0.019048盎司的单位重量运行，类型如数据表注释所示，用于低端，提供Clare等商标功能，最小电源电压设计为4.5 V，最大电源电压为35 V，该器件还可以用作8-SOIC（0.154“，3.90mm宽）供应商器件封装。此外，S N比率ADC DAC db Typ为0.8V，3V，该器件提供4.5 V ~ 35 V Sigma Delta，该器件具有IXDD609系列，上升时间为22 ns，分辨率位为1，封装为磁带和卷轴（TR），且封装外壳为表面安装，其工作温度范围为22ns、15ns，工作电源电流为10uA，ADC DAC数量为，安装类型为-55°C~150°C（TJ），下降时间为15ns，动态范围ADC DAC db Typ为9A、9A，数据接口为单一。
IXDD609SIA是由IXYS制造的9安培低端超快MOSFET栅极驱动器。IXDD609SIA采用SOP8封装，是PMIC-栅极驱动器的一部分，支持栅极驱动器9安培低侧超快MOSFET、低侧栅极驱动器IC非反相8-SOIC、驱动器9A1-OUT低侧非反相汽车8引脚SOIC管。
