UCC27518DBVR和UCC27519单通道、高速、低侧栅极驱动器设备可以有效驱动MOSFET和IGBT功率开关。UCC27518DBVR和UCC27519采用一种固有的最小化穿透电流的设计，可以将高峰值电流脉冲发射和吸收到电容性负载中，提供轨对轨驱动能力和极小的传播延迟，通常为17ns。
UCC27518DBVR和UCC27519在VDD=12V时提供4-A源、4-A宿（对称驱动）峰值驱动电流能力。
UCC27518DBVR和UCC27519设计用于在4.5 V至18 V的宽VDD范围和-40°C至140°C的宽温度范围内工作。VDD引脚上的内部欠压锁定（UVLO）电路在VDD工作范围外保持低输出。在诸如低于5V的低电压水平下操作的能力以及最佳的开关特性特别适合于驱动新兴的宽带隙功率开关器件，例如GaN功率半导体器件。
UCC27518DBVR和UCC27519的输入引脚阈值基于CMOS逻辑，其中阈值电压是VDD电源电压的函数。通常，输入高阈值（VIN-H）为55%VDD，输入低阈值（VIN-L）为39%VDD。高阈值和低阈值之间的宽滞后（通常为16%VDD）提供了优异的抗噪声能力，并允许用户在输入PWM信号和设备的INx引脚之间使用RC电路引入延迟。
UCC27518DBVR和UCC27519还具有EN引脚上的浮动启用功能。EN管脚可以保持不连接状态，这允许UCC27518、UCC27519和TPS2828、TPS2829之间的管脚到管脚兼容性。EN引脚的阈值是固定的电压阈值，并且不基于VDD引脚偏置电压而变化。通常，启用高阈值（VEN-H）为2.1V，启用低阈值（VEN-L）为1.25V。
特色
- 低成本的门驱动器设备，提供NPN和PNP分立解决方案的卓越替代
- 引脚到引脚兼容TI的TPS2828和TPS2829设备
- 4-A峰值源和4-A峰值汇对称驱动
- 快速传播延迟（典型值为17 ns）
- 快速上升和下降时间（8-ns和7-ns典型值）
- 4.5V至18-V单电源范围
- VDD UVLO期间输出保持低（确保通电和断电时无闪烁操作）
- CMOS输入逻辑阈值（具有滞后的电源电压函数）
- 高噪声抗扰度的滞后逻辑阈值
- 启用功能的EN引脚（允许不连接）
- 输入引脚浮动时输出保持低
- 输入引脚绝对最大电压电平不受VDD引脚偏置电源电压限制
- 工作温度范围-40°C至140°C
- 5针DBV封装（SOT-23）
UCC27518和UCC27519单通道、高速、低侧栅极驱动器设备可以有效驱动MOSFET和IGBT功率开关。UCC27518和UCC27519采用固有的最小化穿透电流的设计，可以将高峰值电流脉冲发射和吸收到电容性负载中，提供轨对轨驱动能力和极小的传播延迟（通常为17ns）。
UCC27518和UCC27519在VDD=12V时提供4-A源、4-A宿（对称驱动）峰值驱动电流能力。
UCC27518和UCC27519设计用于在4.5 V至18 V的宽VDD范围和-40°C至140°C的宽温度范围内工作。VDD引脚上的内部欠压锁定（UVLO）电路在VDD工作范围外保持低输出。在诸如低于5V的低电压水平下操作的能力以及最佳的开关特性特别适合于驱动新兴的宽带隙功率开关器件，例如GaN功率半导体器件。
UCC27518和UCC27519的输入引脚阈值基于CMOS逻辑，其中阈值电压是VDD电源电压的函数。通常，输入高阈值（VIN-H）为55%VDD，输入低阈值（VIN-L）为39%VDD。高阈值和低阈值之间的宽滞后（通常为16%VDD）提供了优异的抗噪声能力，并允许用户在输入PWM信号和设备的INx引脚之间使用RC电路引入延迟。
UCC27518和UCC27519还具有EN引脚上的浮动启用功能。EN管脚可以保持不连接状态，这允许UCC27518、UCC27519和TPS2828、TPS2829之间的管脚到管脚兼容性。EN引脚的阈值是固定的电压阈值，并且不基于VDD引脚偏置电压而变化。通常，启用高阈值（VEN-H）为2.1V，启用低阈值（VEN-L）为1.25V。
