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TND512MD-TL-E,带引脚细节,包括Digi-ReelR封装,它们设计用于16-SOIC(0.173英寸,4.40mm宽)封装外壳,数据表中显示了用于CMOS的技术,其工作温度范围为-55°C~150°C(TJ),安装类型设计用于表面安装,以及驱动器-完全集成、控制和功率级功能,该设备也可以用作通用应用。此外,该接口是并联的,该设备提供10 V~20 V的电压供应,该设备具有供应商设备包的16-MFP,电流输出为340mA,输出配置为半桥(3),电机类型AC DC为无刷DC(BLDC)。
TND523SS-TL-2H是IC DVR EXPD 525V 0.6A 8SOIC,包括10 V~20 V电压源,它们设计用于600V(最大)电压负载,数据表说明中显示了用于功率MOSFET的技术,该功率MOSFET提供了供应商器件封装功能,如8-SOIC,系列设计用于TND523SS,以及磁带和卷轴(TR)封装,该器件也可作为8-SOIC(0.154“,3.90mm宽)封装盒使用。此外,输出配置为半桥,工作温度范围为-55°C~150°C(TJ),该器件具有安装型表面安装,负载类型为感应式,接口为开/关,电流峰值输出为200mA,400mA,应用为通用型。
TND517VS-TL-E,电路图由SANYO制造。TND517VS-TL-E采用8VEC封装,是IC芯片的一部分。