一系列全桥驱动器,设计用于控制三相应用中的MOSFET和IGBT功率器件。该器件的最大阻断电压为600伏,低侧控制采用CMOS和TTL兼容信号电平。
特色
- 为引导操作设计的浮动通道
- 完全运行至+600 V
- 耐受负瞬态电压
- dV/dt免疫
- 栅极驱动电源范围为10至20 V
- 所有通道的欠压锁定
- 典型空载时间2.5µs(IR2130)
- 可用的典型死区时间0.8µs(IR2132)选项
- 过电流关机关闭所有六个驱动器
- 独立半桥驱动器
- 所有信道的匹配传播延迟
- 2.5 V逻辑兼容
- 输出与输入异相
- 交叉传导防止逻辑
应用
- 电机控制和驱动
- 机器人
- 家庭和楼宇自动化
- 电动工具
- 3D打印机