所有商标均为其各自所有者的财产。
描述UCC2720x-Q1系列高频N沟道MOSFET驱动器包括120V自举二极管和具有独立输入的高侧和低侧驱动器，以实现最大的控制灵活性。这允许半桥、全桥、双开关正向和有源箝位正向转换器中的N沟道MOSFET控制。低侧和高侧栅极驱动器是独立控制的，并与彼此的接通和断开之间的1ns相匹配。
片上自举二极管消除了外部分立二极管。为高压侧和低压侧驱动器提供欠压锁定，如果驱动电压低于指定阈值，则强制输出为低。
提供了两种版本的UCC2720x-Q1–UCC27200-Q1具有高噪声免疫CMOS输入阈值，UCC27201-Q1具有TTL兼容阈值。
这两种设备都在8引脚SO PowerPAD（DDA）封装中提供。
对于所有可用的软件包，请参阅数据表末尾的可订购附录。
特色
- 具备汽车应用资格
- AEC-Q100合格，结果如下：
- 1级设备温度：-40°C至125°C环境工作温度范围
- 设备HBM ESD等级2
- 设备CDM ESD分类等级C5
- 驱动高侧和低侧配置的两个N沟道MOSFET
- 最大启动电压：120 V
- 最大VDD电压：20 V
- 片上0.65-V VF，0.6-？RD自举二极管
- 工作频率大于1 MHz
- 20ns传播延迟时间
- 3-A汇点，3-A源输出电流
- 1000 pF负载时8 ns上升和7 ns下降时间
- 1-ns延迟匹配
- 规定温度为-40°C至140°C（结温）
所有商标均为其各自所有者的财产。
描述UCC2720x-Q1系列高频N沟道MOSFET驱动器包括120V自举二极管和具有独立输入的高侧和低侧驱动器，以实现最大的控制灵活性。这允许半桥、全桥、双开关正向和有源箝位正向转换器中的N沟道MOSFET控制。低侧和高侧栅极驱动器是独立控制的，并与彼此的接通和断开之间的1ns相匹配。
片上自举二极管消除了外部分立二极管。为高压侧和低压侧驱动器提供欠压锁定，如果驱动电压低于指定阈值，则强制输出为低。
提供了两种版本的UCC2720x-Q1–UCC27200-Q1具有高噪声免疫CMOS输入阈值，UCC27201-Q1具有TTL兼容阈值。
这两种设备都在8引脚SO PowerPAD（DDA）封装中提供。
对于所有可用的软件包，请参阅数据表末尾的可订购附录。
