UCC27201AQDDARQ1

• 具备汽车应用资格
• AEC-Q100合格，结果如下：
  • 1级设备温度：-40°C至140°C环境工作温度范围
  • 器械HBM分类等级1C
  • 设备CDM分类等级C3
• HS上的负电压处理（–18 V）
• 驱动高侧/低侧配置的两个N沟道MOSFET
• 最大启动电压：120 V
• 最大VDD电压：20 V
• 片上0.65-V VF，0.6-ΩRD自举二极管
• 工作频率大于1 MHz
• 20ns传播延迟时间
• 3-A汇点，3-A源输出电流
• 1000 pF负载时8 ns上升和7 ns下降时间
• 1-ns延迟匹配
• 高压侧和低压侧驱动器的欠压锁定
• 提供8引脚PowerPad SOIC-8（DDA）和10引脚VSON（DMK）封装

UCC27201A-Q1高频N沟道MOSFET驱动器包括120V自举二极管和具有独立输入的高端/低端驱动器，以实现最大的控制灵活性。这允许半桥、全桥、两个开关正向和有源箝位正向转换器中的N沟道MOSFET控制。低侧和高侧栅极驱动器被独立地控制，并且在彼此的导通和截止之间匹配为1-ns。UCC27201A-Q1基于流行的UCC27200和UCC27201驱动程序，但提供了一些增强功能。为了提高在噪声电源环境中的性能，UCC27201A-Q1能够在其HS引脚上承受最大-18 V的电压。

片上自举二极管消除了外部分立二极管。如果驱动电压低于指定阈值，则为高压侧和低压侧驱动器提供欠压锁定，迫使输出变低。

UCC27201A-Q1具有TTL兼容阈值，提供10引脚VSON和带热焊盘的8引脚SOIC。