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HIP2123FRTAZ-T是IC半桥FET驱动器10TDFN，包括半桥型，它们设计为与磁带和卷轴（TR）包装一起工作，包装箱如数据表注释所示，用于表面安装，其工作温度范围为10ns、10ns，安装型设计为在-55°C~150°C（TJ）下工作，该设备也可以用作2个分辨率位。此外，数据接口是独立的，该设备提供反向电压供应模拟，该设备具有114V的电压供应数字，ADC DAC的数量为，Sigma Delta为8 V~14 V，S N比ADC DAC db Typ为1.4V、2.2V，动态范围ADC DAC db Typ为2A、2A。
HIP2123FRTBZ-T是集成电路半桥FET驱动器9TDFN，包括114V数字电源，它们设计用于模拟逆变电源，类型如半桥中使用的数据表注释所示，该半桥提供供应商设备包功能，如9-WDFN暴露焊盘、S N比率ADC DAC db Typ，设计用于1.4V、2.2V以及8 V~14 V Sigma Delta，该设备也可以用作2个分辨率位。此外，包装为磁带和卷轴（TR），该设备采用表面贴装包装盒，其工作温度范围为10ns、10ns，ADC DAC数量为，安装类型为-55°C~150°C（TJ），动态范围ADC DAC db Typ为2A、2A，数据接口独立。
HIP2123FRTAZ是集成电路半桥FET驱动器10TDFN，包括独立数据接口，它们设计用于2A、2A动态范围ADC DAC db Typ，安装类型如数据表注释所示，适用于-55°C~150°C（TJ），提供多种ADC DAC功能，例如，其工作温度范围为10ns、10ns，以及表面安装封装外壳，该装置也可以用作管包装。此外，分辨率位为2，该设备提供8 V~14 V Sigma Delta，该设备具有1.4V、2.2V的S/N比ADC DAC db Typ，供应商设备包为10-WDFN暴露焊盘，类型为半桥，电压供应模拟为反相，电压供应数字为114V。
HIP2123FRTBZ是集成电路半桥FET驱动器9TDFN，包括管封装，它们设计为与表面安装封装外壳一起工作，数据表说明中显示了用于逆变的电压源模拟，提供数据接口功能，如独立，类型设计为在半桥中工作，以及9-WDFN暴露焊盘供应商设备包，该器件也可用作8V～14V Sigma Delta。此外，安装类型为-55°C~150°C（TJ），该设备提供2A、2A动态范围ADC DAC db Typ，该设备具有2个分辨率位，数字电源电压为114V，其工作温度范围为10ns、10ns，S/N比ADC DAC db Typ为1.4V、2.2V，ADC DAC数量为。
