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MCP14E11T-E/SN

  • 描述:闸门类型: IGBT、N通道、P通道MOSFET 驱动器配置: 低压侧 通道类型: 独立的 电源电压: 4.5伏~18伏 供应商设备包装: 8-SOIC 安装类别: 表面安装
  • 品牌: 美国微芯 (MICROCHIP)
  • 交期:2-3 工作日
渠道:
  • 自营
  • 得捷
  • 贸泽

起订量: 3300

数量 单价 合计
1+ 12.85305 12.85305
200+ 4.98147 996.29560
500+ 4.80281 2401.40900
1000+ 4.71874 4718.74200
  • 库存: 0
  • 单价: ¥12.85306
  • 数量:
    - +
  • 总计: ¥15,571.85
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规格参数

  • 部件状态 可供货
  • 驱动器配置 低压侧
  • 通道类型 独立的
  • 驱动器数量 two
  • 输入类别 反转,非反转
  • 高侧最大电压 (自举) -
  • 安装类别 表面安装
  • 包装/外壳 8-SOIC (0.154", 3.90毫米 Width)
  • 供应商设备包装 8-SOIC
  • 电源电压 4.5伏~18伏
  • 制造厂商 美国微芯 (MICROCHIP)
  • 工作温度 -40摄氏度~150摄氏度(TJ)
  • 逻辑电压-VIL、VIH 0.8伏、2.4伏
  • 上升/下降时长(典型值) 25ns, 25ns
  • 闸门类型 IGBT、N通道、P通道MOSFET
  • 波峰值电流输出 (灌入,提拉) 3A,3A

MCP14E11T-E/SN 产品详情

MCP14E9/E10/E11器件是一系列3A、双输出缓冲区/MOSFET驱动器,每个输出具有单独的启用功能。作为MOSFET驱动器,MCP14E9/E10/E11可以在25纳秒(最大值)以下为1800 pF的栅极电容充电。输入与TTL/CMOS兼容,在高输入电平和低输入电平之间提供300 mV的滞后,使其能够从缓慢上升和下降的信号中驱动,并提供抗噪声能力。

特色

  • 高峰值输出电流:3A(典型值)
  • 每个驱动器的独立启用功能
  • 输出级低穿透/交叉传导电流
  • 宽输入电源工作范围:4.5v至18V
  • 高容量负载驱动能力:1800 pF,20 nsec(典型值)
  • 短延迟时间:75 nsec(典型值)
  • 匹配的上升/下降时间
  • 低输出阻抗:2.2Ω(典型值)
  • 闭锁保护:可承受1.5A反向电流
  • 输入为TTL/CMOS兼容,可承受高达5V的负摆幅
  • ESD保护:4kV
MCP14E11T-E/SN所属分类:栅极驱动器,MCP14E11T-E/SN 由 美国微芯 (MICROCHIP) 设计生产,可通过久芯网进行购买。MCP14E11T-E/SN价格参考¥12.853055,你可以下载 MCP14E11T-E/SN中文资料、PDF数据手册、Datasheet数据手册功能说明书,可查询MCP14E11T-E/SN规格参数、现货库存、封装信息等信息!
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