特色
- 在半桥或全桥配置中独立驱动4个N沟道FET
- 引导电源最大电压至95VDC
- 在50°C的自由空气中驱动1000pF负载,上升和下降时间通常为15ns
- 用户可编程停滞时间(0.1至4.5µs)
- DIS(禁用)超控输入控制并在拉低时刷新自举电容器
- 输入逻辑阈值与5V至15V逻辑电平兼容
- 穿透式保护
- 欠电压保护
- 无铅可用
起订量: 1
数量 | 单价 | 合计 |
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1+ | 19.81874 | 19.81874 |
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