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TC4422EMF

  • 描述:闸门类型: IGBT、N通道、P通道MOSFET 驱动器配置: 低压侧 通道类型: 单个的 电源电压: 4.5伏~18伏 供应商设备包装: 8-DFN-S (6x5) 安装类别: 表面安装
  • 品牌: 美国微芯 (MICROCHIP)
  • 交期:2-3 工作日
渠道:
  • 自营
  • 得捷
  • 贸泽

起订量: 240

数量 单价 合计
1+ 34.01908 34.01908
10+ 29.84683 298.46832
30+ 27.29303 818.79108
  • 库存: 0
  • 单价: ¥34.01908
  • 数量:
    - +
  • 总计: ¥6,550.33
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规格参数

  • 部件状态 可供货
  • 驱动器配置 低压侧
  • 高侧最大电压 (自举) -
  • 安装类别 表面安装
  • 输入类别 非反相
  • 电源电压 4.5伏~18伏
  • 制造厂商 美国微芯 (MICROCHIP)
  • 工作温度 -40摄氏度~150摄氏度(TJ)
  • 逻辑电压-VIL、VIH 0.8伏、2.4伏
  • 通道类型 单个的
  • 驱动器数量 one
  • 闸门类型 IGBT、N通道、P通道MOSFET
  • 波峰值电流输出 (灌入,提拉) 9A,9A
  • 包装/外壳 8-VDFN Exposed Pad
  • 供应商设备包装 8-DFN-S (6x5)
  • 上升/下降时长(典型值) 60ns, 60ns

TC4422EMF 产品详情

TC4421/4422是能够驱动大型MOSFET和IGBT的高电流缓冲器/驱动器。除直接过电压或过耗散外,它们基本上不受任何形式的干扰——它们在其功率和电压额定值范围内的任何条件下都无法锁定;当接地端子上存在高达5V的接地弹跳时,它们不会受到损坏或不当操作;它们可以在没有损坏或逻辑混乱的情况下,接受超过1A的任何极性的感应电流强制返回其输出。此外,所有端子都受到充分保护,防止高达4kV的静电放电。TC4421/4422输入可直接由TTL或CMOS(3V至18V)驱动。此外,300mV的滞后被内置到输入中,提供抗噪声能力,并允许设备从缓慢上升或下降的波形中驱动。

对于产品比较,请考虑:TC4422A

特色

  • 坚固的CMOS™ 建设
  • 高峰值输出电流:9A
  • 高连续输出电流:最大2A
  • 快速上升和下降时间:
    • 30nsec,4700pF负载
    • 180nsec,47000pF负载
  • 短内部延迟:30纳秒典型值。
  • 低输出阻抗:1.4典型值。
TC4422EMF所属分类:栅极驱动器,TC4422EMF 由 美国微芯 (MICROCHIP) 设计生产,可通过久芯网进行购买。TC4422EMF价格参考¥34.019083,你可以下载 TC4422EMF中文资料、PDF数据手册、Datasheet数据手册功能说明书,可查询TC4422EMF规格参数、现货库存、封装信息等信息!
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