LTC446IMS8E是一种高频高压栅极驱动器，用于驱动DC/DC转换器中的两个N沟道MOSFET，电源电压高达100V。强大的驱动器能力降低了具有高栅极电容的MOSFET的开关损耗。LTC446的上拉顶部栅极驱动器的峰值输出电流为2.5A，下拉输出阻抗为1.2Ω。上拉底部栅极驱动器的输出电流峰值为3A，下拉输出电阻为0.55Ω。
LTC446IMS8E配置为两个独立电源输入。高侧输入逻辑信号被内部电平移位到自举电源，自举电源可以在高达地上114V的电压下工作。
LTC446IMS8E包含低电压锁定电路，在激活时禁用外部MOSFET。
LTC446IMS8E采用热增强型8引脚MSOP封装。
LTC446IMS8E没有自适应穿透保护。对于具有自适应穿透保护的类似驱动器，请参阅下表。
PARAMETERLTC4446LTC4444LTC4444-5直通保护无是是绝对最大TS100V100V100VMOSFET栅极驱动器7.2V至13.5V7.2V至13.5V4.5V至13.5VVCC UV+6.6V6.6V4VVCC UV–6.15V6.15V3.5V特色
- 引导电源电压高达114V
- 宽VCC电压：7.2V至13.5V
- 2.5A峰值顶栅上拉电流
- 3A峰值底栅上拉电流
- 1.2Ω顶栅驱动器下拉
- 0.55Ω底栅驱动器下拉
- 5ns顶栅下降时间驱动1nF负载
- 8ns顶栅上升时间驱动1nF负载
- 3ns底栅下降时间驱动1nF负载
- 6ns底栅上升时间驱动1nF负载
- 驱动高侧和低侧N沟道MOSFET
- 欠压锁定
- 热增强8引脚MSOP封装
应用
- 分布式电源体系结构
- 汽车电源
- 高密度电源模块
- 电信系统
（图片：引出线）
