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NCV5702DR2G

  • 描述:闸门类型: 绝缘栅双极晶体管 驱动器配置: 半桥 通道类型: 同步的 电源电压: 20伏 供应商设备包装: 16-SOIC 安装类别: 表面安装
  • 品牌: 安盛美 (onsemi)
  • 交期:5-7 工作日
渠道:
  • 自营
  • 得捷
  • 贸泽

起订量: 2500

数量 单价 合计
2500+ 13.22640 33066.01250
  • 库存: 22500
  • 单价: ¥13.22641
  • 数量:
    - +
  • 总计: ¥33,066.01
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规格参数

  • 部件状态 可供货
  • 高侧最大电压 (自举) -
  • 安装类别 表面安装
  • 制造厂商 安盛美 (onsemi)
  • 输入类别 非反相
  • 驱动器配置 半桥
  • 通道类型 同步的
  • 工作温度 -40摄氏度~125摄氏度(TA)
  • 驱动器数量 one
  • 波峰值电流输出 (灌入,提拉) 1A,1A
  • 供应商设备包装 16-SOIC
  • 闸门类型 绝缘栅双极晶体管
  • 包装/外壳 16-SOIC(0.154“,3.90毫米宽)
  • 电源电压 20伏
  • 上升/下降时长(典型值) 9.2ns, 7.9ns
  • 逻辑电压-VIL、VIH 0.75伏、4.3伏
  • 种类 -
  • 特点 -

NCV5702DR2G 产品详情

NCV5702DR2G是一款高电流、高性能的独立IGBT驱动器,具有非反相输入逻辑,适用于大功率应用,包括汽车应用,如PTC加热器、EV充电器、动力传动系统逆变器和其他汽车电源。该设备通过消除许多外部组件,提供了一种经济高效的解决方案。设备保护功能包括有源米勒钳、精确UVLO、EN输入、DESAT保护和开路故障输出。该驱动器还具有精确的5.0 V输出和单独的高和低(VOH和VOL)驱动器输出,以方便系统设计。该驱动器被设计为适应宽电压范围的偏置电源,包括单极和双极电压。它采用16引脚SOIC封装。它符合AEC-Q100标准。

特色

  • IGBT米勒平台电压下的大电流输出(+4.0/-6.0 A)
  • 减少开关损耗和缩短开关时间
  • 低VOH和VOL
  • IGBT的全面增强
  • 有源米勒箝位
  • 防止虚假门开启
  • 具有可编程延迟的DESAT保护
  • 增强的可编程保护

应用

  • DC-AC逆变器
  • 电池充电器
  • 汽车PTC加热器
  • 车载充电器
  • xEV充电器
  • 汽车动力传动系统逆变器
  • 牵引逆变器
  • 电动汽车
  • 电动汽车充电器
  • 牵引
NCV5702DR2G所属分类:栅极驱动器,NCV5702DR2G 由 安盛美 (onsemi) 设计生产,可通过久芯网进行购买。NCV5702DR2G价格参考¥13.226405,你可以下载 NCV5702DR2G中文资料、PDF数据手册、Datasheet数据手册功能说明书,可查询NCV5702DR2G规格参数、现货库存、封装信息等信息!

安盛美 (onsemi)

安盛美 (onsemi)

onsemi正在推动节能创新,使客户能够减少全球能源使用。该公司提供全面的节能电源和信号管理、逻辑、离散和定制解决方案组合,以帮助设计工程师解决其在汽车、通信、计算、消费、工业、LED照明、医疗、军事/...

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