IXDF602SIATR零件是由IXYS制造的2安培双低端超快MOSFET驱动器,可在9icnet Electronics购买。在这里,您可以找到来自世界领先制造商的各种类型和价值的电子零件。9icnet Electronics的IXDF602SIATR组件经过精心挑选,经过严格的质量控制,并成功满足所有要求的标准。
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IXDF602SIA具有引脚细节,包括IXDF602系列,它们设计用于MOSFET栅极驱动器产品,类型如数据表注释所示,用于低端,提供管等封装功能,单位重量设计为0.019048盎司,以及SMD/SMT安装样式,该设备也可以用作Clare商标。此外,该配置为反相非反相,该设备提供2个输出,最大工作温度范围为+125 C,最小工作温度范围-40 C,工作电源电流为1 mA,输出电流为2 A,下降时间为6.5 ns,上升时间为7.5 ns,电源电压最大值为35 V,并且电源电压Min为4.5V,并且封装外壳为SOIC-8,并且驱动器的数量为2个驱动器,并且最大关断延迟时间为60ns,并且最大接通延迟时间为60cs。
IXDF602SI和用户指南,包括反相、非反相电压模拟电源,它们设计用于低侧类型,产品名称显示在数据表注释中,用于Clare,提供供应商器件封装功能,如8-SOIC(0.154英寸,3.90mm宽)暴露焊盘,S N比ADC DAC db Typ设计用于0.8V、3V以及4.5V~35V Sigma Delta,该器件也可以用作IXDF602系列。此外,分辨率位为2,该设备采用管交替封装,该设备具有封装外壳的表面安装,其工作温度范围为7.5ns、6.5ns,ADC DAC的数量为,安装类型为-55°C~150°C(TJ),动态范围ADC DAC db Typ为2A、2A,数据接口独立。
IXDF602PI带有电路图,包括独立数据接口,设计用于2A、2A动态范围ADC DAC db Typ,安装类型如数据表注释所示,适用于-55°C~150°C(TJ),提供多种ADC DAC功能,例如,其工作温度范围为7.5ns、6.5ns,以及通孔封装外壳,该装置也可以用作管包装。此外,分辨率位为2,该设备提供4.5 V~35 V Sigma Delta,该设备具有0.8V、3V的S/N比ADC DAC db Typ,供应商设备包为8-DIP(0.300“,7.62mm),类型为低端,电压供应模拟为反相、非反相。