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TND316S-TL-2H是IC DVR EXPD 25V 1A SOP8，包括TND316S系列，它们设计用于磁带和卷轴（TR）包装，数据表注释中显示了用于8-SOIC（0.154“，3.90mm宽）的封装盒，该封装盒提供功率MOSFET等技术特性，其工作温度范围为-55°C~150°C（TJ），以及表面安装安装型，该设备也可以用作直流电机、通用应用。此外，接口为逻辑，设备提供4.5 V～25 V电压供应，设备具有8 SOIC供应商设备包，输出配置为半桥（2），负载类型为电感，Rds On Typ为6 Ohm LS，8 Ohm HS，电流峰值输出为1A，电压负载为4.5 V～25V。
TND321VD-TL-E是IC DVR EXPD 25V 0.8A VEC8，包括4.5 V~25 V电压源，它们设计用于4.5 V~25V电压负载。数据表说明中显示了用于功率MOSFET的技术，该功率MOSFET提供了供应商器件封装功能，如8-VEC、Rds on Typ，设计用于6欧姆LS、11欧姆HS以及Digi-ReelR封装，该器件也可以用作8-SMD、扁平引线封装盒。此外，输出配置为半桥（2），其工作温度范围为-55°C~150°C（TJ），设备具有安装型表面安装，负载类型为感应式，接口为逻辑，电流峰值输出为800mA，1A，应用为直流电机、DC-DC转换器、通用型。
TND321VD-TL-H带电路图，包括通用应用，设计用于800mA，1A电流峰值输出，接口如数据表注释所示，用于逻辑，提供电感等负载类型功能，安装类型设计用于表面安装，其工作温度范围为-55°C~150°C（TJ），该设备也可以用作半桥（2）输出配置。此外，封装外壳为8-SMD，扁平引线，器件采用带卷（TR）封装，器件具有6欧姆LS，11欧姆HS的Rds On Typ，供应商器件封装为SOT-28FL/VEC8，技术为功率MOSFET，电压负载为4.5 V~25 V，电压供应为4.5 V~35 V。
TND316S-TL-E是IC DVR EXPD 25V 1A SOP8，包括磁带和卷盘（TR）封装，它们设计为与开/关接口一起工作，数据表注释中显示了电压供应Vcc Vdd，用于“不需要”，提供输入类型功能，如反相、非反相、开关类型，设计用于通用用途，以及8-SOP供应商设备包，该器件还可以用作8-SOIC（0.173“，4.40mm宽）封装盒。此外，Rds On Typ为8欧姆，工作温度范围为-55°C ~ 150°C（TJ），该器件具有4.5 V ~ 25 V的电压负载，输出数为2，输入输出比为1899/12/30 1:02:00。
