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TND321VD-TL-E是IC DVR EXPD 25V 0.8A VEC8，包括Digi-ReelR封装，它们设计为使用8-SMD扁平引线封装外壳，数据表说明中显示了用于功率MOSFET的技术，其工作温度范围为-55°C~150°C（TJ），安装类型设计用于表面安装，以及直流电机、DC-DC转换器、，通用应用中，该设备也可用作逻辑接口。此外，电压供应为4.5 V~25 V，该设备在8-VEC供应商设备包中提供，该设备具有半桥（2）输出配置，负载类型为电感式，Rds On Typ为6 Ohm LS，11 Ohm HS，电流峰值输出为800mA，1A，电压负载为4.5 V~35 V。
TND321VD-TL-H，带有用户指南，包括4.5 V~25 V电源，设计用于4.5 V~25V电压负载，数据表说明中显示了用于功率MOSFET的技术，该功率MOSFET提供供应商设备包功能，如SOT-28FL/VEC8，Rds on Typ，设计用于6欧姆LS、11欧姆HS，以及磁带和卷轴（TR）封装，该器件也可以用作8-SMD、扁平引线封装盒。此外，输出配置为半桥（2），其工作温度范围为-55°C~150°C（TJ），设备具有安装型表面安装，负载类型为感应式，接口为逻辑，电流峰值输出为800mA，1A，应用为通用型。
TND322VD-TL-H，带有电路图，包括通用应用，设计用于800mA，1A电流峰值输出，接口如数据表注释所示，用于逻辑，提供电感等负载类型功能，安装类型设计用于表面安装，工作温度范围为-55°C~150°C（TJ），该设备也可以用作半桥（2）输出配置。此外，封装外壳为8-SMD，扁平引线，器件采用带卷（TR）封装，器件具有6欧姆LS，11欧姆HS的Rds On Typ，供应商器件封装为SOT-28FL/VEC8，技术为功率MOSFET，电压负载为4.5 V~25 V，电压供应为4.5 V~35 V。
TND316S-TL-E是IC DVR EXPD 25V 1A SOP8，包括磁带和卷盘（TR）封装，它们设计为与开/关接口一起工作，数据表注释中显示了电压供应Vcc Vdd，用于“不需要”，提供输入类型功能，如反相、非反相、开关类型，设计用于通用用途，以及8-SOP供应商设备包，该器件还可以用作8-SOIC（0.173“，4.40mm宽）封装盒。此外，Rds On Typ为8欧姆，工作温度范围为-55°C ~ 150°C（TJ），该器件具有4.5 V ~ 25 V的电压负载，输出数为2，输入输出比为1899/12/30 1:02:00。
