UCC27511DBVT和UCC27512单通道、高速、低侧栅极驱动器设备可以有效驱动MOSFET和IGBT功率开关。UCC27511DBVT和UCC27512采用固有的最小化穿透电流的设计，能够将高峰值电流脉冲发射和吸收到电容性负载中，从而提供轨对轨驱动能力和极小的传播延迟，通常为13ns。
UCC27511DBVT采用双输入设计，可在同一设备上灵活实现反相（IN–引脚）和非反相（IN+引脚）配置。IN+或IN-引脚可用于控制驱动器输出的状态。未使用的输入引脚可用于启用和禁用功能。为了安全起见，输入引脚上的内部上拉和下拉电阻器确保当输入引脚处于浮动状态时输出保持在低电平。因此，未使用的输入引脚不会保持浮动，必须适当偏置，以确保驱动器输出能够正常工作。
UCC27511DBVT器件的输入引脚阈值基于TTL和CMOS兼容的低电压逻辑，其固定且独立于VDD电源电压。高阈值和低阈值之间的宽滞后提供了优异的噪声抗扰性。
UCC27511DBVT和UCC27512提供4-A源，8-A汇（不对称驱动）峰值驱动电流能力。不对称驱动中的强大吸收能力增强了对寄生、米勒关断效应的免疫力。UCC27511DBVT器件还具有独特的分流输出配置，其中栅极驱动电流通过OUTH引脚提供，通过OUTL引脚吸收。这种独特的引脚布置允许用户将独立的导通和截止电阻器分别应用于OUTH和OUTL引脚，并轻松控制开关转换速率。
UCC27511DBVT和UCC27512设计用于在4.5至18 V的宽VDD范围和-40°C至140°C的宽温度范围内工作。VDD引脚上的内部欠压锁定（UVLO）电路将输出保持在VDD工作范围外的低电平。在诸如低于5V的低电压水平下操作的能力以及最佳的开关特性特别适合于驱动新兴的宽带隙功率开关器件，例如GaN功率半导体器件。
特色
- 低成本门驱动器设备，提供NPN和PNP分立解决方案的卓越替代
- 4-A峰值源和8-A峰值汇不对称驱动
- 强吸收电流提供增强的米勒关断抗扰度
- UCC27511中的分离输出配置（允许轻松独立地调整接通和断开速度）节省1个二极管
- 快速传播延迟（典型13 ns）
- 快速上升和下降时间（典型为9纳秒和7纳秒）
- 4.5V至18-V单电源范围
- VDD UVLO期间输出保持低（确保通电和断电时无闪烁操作）
- TTL和CMOS兼容输入逻辑阈值（与电源电压无关）
- 高噪声抗扰度的滞后逻辑阈值
- 双输入设计（可选择反相（IN–引脚）或非反相（IN+引脚）驱动器配置）
- 未使用的输入引脚可用于启用或禁用功能
- 输入引脚浮动时输出保持低
- 输入引脚绝对最大电压电平不受VDD引脚偏置电源电压限制
- 工作温度范围-40°C至140°C
- 6针DBV（SOT-23）和6针DRS（3-mm×3-mm WSON，带外露热垫）封装选项
UCC27511和UCC27512单通道、高速、低侧栅极驱动器设备可以有效驱动MOSFET和IGBT功率开关。UCC27511和UCC27512采用固有的最小化穿透电流的设计，能够将高峰值电流脉冲发射和吸收到电容性负载中，从而提供轨对轨驱动能力和极小的传播延迟，通常为13ns。
UCC27511采用双输入设计，可在同一设备上灵活实现反相（IN–引脚）和非反相（IN+引脚）配置。IN+或IN-引脚可用于控制驱动器输出的状态。未使用的输入引脚可用于启用和禁用功能。为了安全起见，输入引脚上的内部上拉和下拉电阻器确保当输入引脚处于浮动状态时输出保持在低电平。因此，未使用的输入引脚不会保持浮动，必须适当偏置，以确保驱动器输出能够正常工作。
UCC27511器件的输入引脚阈值基于TTL和CMOS兼容的低电压逻辑，其固定且独立于VDD电源电压。高阈值和低阈值之间的宽滞后提供了优异的噪声抗扰性。
UCC27511和UCC27512提供4-A源，8-A宿（不对称驱动）峰值驱动电流能力。不对称驱动中的强大吸收能力增强了对寄生、米勒关断效应的免疫力。UCC27511器件还具有独特的分流输出配置，其中栅极驱动电流通过OUTH引脚提供，通过OUTL引脚吸收。这种独特的引脚布置允许用户将独立的导通和截止电阻器分别应用于OUTH和OUTL引脚，并轻松控制开关转换速率。
UCC27511和UCC27512设计用于在4.5至18 V的宽VDD范围和-40°C至140°C的宽温度范围内工作。VDD引脚上的内部欠压锁定（UVLO）电路将输出保持在VDD工作范围外的低电平。在诸如低于5V的低电压水平下操作的能力以及最佳的开关特性特别适合于驱动新兴的宽带隙功率开关器件，例如GaN功率半导体器件。
