L6391DTR是使用BCD？“离线”技术。它是用于N沟道功率MOSFET或IGBT的单片半桥栅极驱动器。
高压侧（浮动）部分设计为承受高达600 V的电压轨。逻辑输入为CMOS/TTL兼容，低至3.3 V，便于与微控制器/DSP连接。
集成比较器可用于保护过电流、过热等。
特色
- 290 mA电源
- 430毫安汇
L6391DTR
- 描述:闸门类型: IGBT，N通道MOSFET 驱动器配置: 半桥 通道类型: 独立的 电源电压: 12.5V ~ 20V 供应商设备包装: 14-SO 安装类别: 表面安装
- 品牌: 意法半导体 (STMicroelectronics)
- 交期:2-3 工作日
渠道:
- 自营
- 得捷
- 贸泽
起订量: 2500
| 数量 | 单价 | 合计 |
|---|---|---|
| 100+ | 168.72934 | 16872.93450 |
| 1000+ | 159.17906 | 159179.06000 |
| 3000+ | 141.66879 | 425006.37600 |
| 10000+ | 126.08430 | 1260843.09000 |
- 库存: 5000
- 单价: ¥168.72935
-
数量:
- +
- 总计: ¥397,947.65
在线询价
温馨提示: 请填写以下信息，以便客户代表及时与您沟通联系。
规格参数
- 部件状态 可供货
- 通道类型 独立的
- 驱动器数量 two
- 安装类别 表面安装
- 输入类别 非反相
- 驱动器配置 半桥
- 闸门类型 IGBT，N通道MOSFET
- 工作温度 -40摄氏度~150摄氏度（TJ）
- 高侧最大电压 (自举) 600 V
- 包装/外壳 14-SOIC（0.154“，3.90毫米宽）
- 制造厂商 意法半导体 (STMicroelectronics)
- 上升/下降时长（典型值） 75ns, 35ns
- 供应商设备包装 14-SO
- 逻辑电压-VIL、VIH 1.1伏、1.9伏
- 波峰值电流输出 （灌入，提拉） 290毫安, 430毫安
- 电源电压 12.5V ~ 20V
L6391DTR 产品详情
L6391DTR 相关器件
器件图 | 型号 | 制造商 | 描述 | 价格 |
|---|---|---|---|---|
 | L6385ED013TR | 意法半导体 (STMicroelectronics) | 闸门类型: IGBT，N通道MOSFET 驱动器配置: 半桥 通道类型: 独立的 电源电压: 17V（最大值） 供应商设备包装: 8-SOIC 安装类别: 表面安装 | ¥6.17956 |
 | L6387ED013TR | 意法半导体 (STMicroelectronics) | 闸门类型: IGBT，N通道MOSFET 驱动器配置: 半桥 通道类型: 独立的 电源电压: 17V（最大值） 供应商设备包装: 8-SOIC 安装类别: 表面安装 | ¥30.84523 |
 | L6388ED013TR | 意法半导体 (STMicroelectronics) | 闸门类型: IGBT，N通道MOSFET 驱动器配置: 半桥 通道类型: 独立的 电源电压: 17V（最大值） 供应商设备包装: 8-SOIC 安装类别: 表面安装 | ¥2.51176 |
 | L6392D | 意法半导体 (STMicroelectronics) | 闸门类型: IGBT，N通道MOSFET 驱动器配置: 半桥 通道类型: 独立的 电源电压: 12.5V ~ 20V 供应商设备包装: 14-SO 安装类别: 表面安装 | ¥16.94839 |
 | L6390D | 意法半导体 (STMicroelectronics) | 闸门类型: IGBT，N通道MOSFET 驱动器配置: 半桥 通道类型: 独立的 电源电压: 12.5V ~ 20V 供应商设备包装: 16-SO 安装类别: 表面安装 | ¥17.60025 |
 | L6391D | 意法半导体 (STMicroelectronics) | 闸门类型: IGBT，N通道MOSFET 驱动器配置: 半桥 通道类型: 独立的 电源电压: 12.5V ~ 20V 供应商设备包装: 14-SO 安装类别: 表面安装 | ¥17.96239 |
 | L6387DTR | 意法半导体 (STMicroelectronics) | 闸门类型: IGBT，N通道MOSFET 驱动器配置: 半桥 通道类型: 独立的 电源电压: 17V（最大值） 供应商设备包装: 8-SOIC 安装类别: 表面安装 | ¥27.20433 |
 | L6370L | 意法半导体 (STMicroelectronics) | 开关种类: 一般用途 输出类别: n通道 输入比率 / 输出比率: 1:1 输出配置: 高端 负载电压: 9.5V ~ 35V 供应商设备包装: 11多瓦 | ¥5.83778 |
 | L63B3S001-AZZ00-000 | SWITCH ROCKER | ¥0.00 | |
| L63D1S001-AZZ00-000 | SWITCH ROCKER | ¥0.00 |
L6391DTR所属分类：栅极驱动器，L6391DTR 由 意法半导体 (STMicroelectronics) 设计生产，可通过久芯网进行购买。L6391DTR价格参考￥168.729345，你可以下载 L6391DTR中文资料、PDF数据手册、Datasheet数据手册功能说明书，可查询L6391DTR规格参数、现货库存、封装信息等信息！
意法半导体 (STMicroelectronics)
意法半导体是一家全球独立的半导体公司，在开发和提供微电子应用领域的半导体解决方案方面处于领先地位。硅和系统专业知识、制造实力、知识产权（IP）组合和战略合作伙伴的无与伦比的结合使该公司处于片上系统（So...
