L6386ED013TR

L6386ED013TR是一个高压栅极驱动器，使用BCD？“离线”技术，能够同时驱动一个高压侧和一个低压侧功率MOSFET或IGBT器件。高侧（浮动）部分能够与高达600 V的电压轨一起工作。两个设备输出可以分别独立地吸收和源650 mA和400 mA，并且可以同时驱动高，以驱动不对称半桥配置。

L6386ED013TR设备提供两个输入引脚、两个输出引脚和一个启用引脚（SD），并确保输出与输入同相。逻辑输入与CMOS/TTL兼容，以方便与控制设备的接口。
L6386ED013TR集成了一个比较器（内部参考为0.5 V的反相输入），可用于保护设备免受故障事件的影响，如过电流。DIAG输出是一个诊断引脚，由比较器驱动，用于向控制设备发出故障事件发生的信号。
自举二极管集成在驱动器中，从而实现了更紧凑、更可靠的解决方案。
L6386ED013TR设备在两个电源电压（V_{科科斯群岛}和V_靴子)确保对供电线路上的电压降提供更大的保护。
该设备有DIP-14管和SO-14管以及磁带和卷轴包装选项。

特色