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HIP4080AIBT

  • 描述:闸门类型: N通道MOSFET 驱动器配置: 半桥 通道类型: 同步的 电源电压: 9.5V ~ 15V 供应商设备包装: 20-SOIC 安装类别: 表面安装
  • 品牌: 瑞萨电子 (Renesas)
  • 交期:5-7 工作日
渠道:
  • 自营
  • 得捷
  • 贸泽

起订量: 1

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  • 单价: ¥25.55295
  • 数量:
    - +
  • 总计: ¥25.55
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规格参数

  • 安装类别 表面安装
  • 输入类别 非反相
  • 驱动器配置 半桥
  • 通道类型 同步的
  • 闸门类型 N通道MOSFET
  • 部件状态 过时的
  • 上升/下降时长(典型值) 10ns,10ns
  • 工作温度 -40摄氏度~125摄氏度(TJ)
  • 驱动器数量 four
  • 制造厂商 瑞萨电子 (Renesas)
  • 高侧最大电压 (自举) 95伏
  • 逻辑电压-VIL、VIH 1伏、2.5伏
  • 电源电压 9.5V ~ 15V
  • 波峰值电流输出 (灌入,提拉) 2.6A, 2.4A
  • 包装/外壳 20-SOIC(0.295“,7.50毫米宽)
  • 供应商设备包装 20-SOIC

HIP4080AIBT 产品详情

HIP4080AIBT是一种高频、中压全桥N沟道FET驱动器IC,可提供20引线塑料SOIC和DIP封装。HIP4080AIBT包括一个输入比较器,用于促进“滞后”和PWM操作模式。它的HEN(高使能)引线可以迫使电流在底部的两个外部功率MOSFET中自由流动,保持高功率MOSFET关闭。由于它可以在高达1MHz的频率下切换,HIP4080AIBT非常适合驱动音圈电机、切换功率放大器和电源。HIP4080AIBT还可以驱动中压有刷电机,两个HIP4080A可以用于驱动高性能步进电机,因为最短的“接通时间”可以提供精细的微步进能力。大约55ns的短传播延迟使控制环路交叉频率和死区时间最大化,死区时间可以调整到接近零以最小化失真,从而实现对驱动负载的精确控制。类似的HIP4081A IC允许在全桥配置中独立控制所有4个FET。

特色

  • 驱动N沟道FET全桥,包括高侧斩波能力
  • 引导电源最大电压至95VDC
  • 在+50°C的自由空气中以1MHz的频率驱动1000pF负载,上升和下降时间通常为10ns
  • 用户可编程停滞时间
  • 电荷泵和自举保持上偏压电源
  • DIS(禁用)引脚将闸门拉低
  • 输入逻辑阈值与5V至15V逻辑电平兼容
  • 极低功耗
  • 欠电压保护
  • 无铅可选


HIP4080AIBT所属分类:栅极驱动器,HIP4080AIBT 由 瑞萨电子 (Renesas) 设计生产,可通过久芯网进行购买。HIP4080AIBT价格参考¥25.552951,你可以下载 HIP4080AIBT中文资料、PDF数据手册、Datasheet数据手册功能说明书,可查询HIP4080AIBT规格参数、现货库存、封装信息等信息!

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Renesas Electronics Corporation通过完整的半导体解决方案提供值得信赖的嵌入式设计创新,使数十亿连接的智能设备能够改善人们的工作和生活方式—安全可靠。作为微控制器...

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