ADG1211/ADG1122YRUZ-REEL/ADG1213是单片互补金属氧化物半导体（CMOS）器件，包含四个独立选择的开关，设计基于iCMOS®（工业CMOS）工艺。iCMOS是一种结合高压CMOS和双极技术的模块化制造工艺。它能够开发出一系列高性能模拟IC，能够在以前一代高压器件都无法实现的占地面积内实现33V操作。与使用传统CMOS工艺的模拟IC不同，iCMOS组件可以耐受高电源电压，同时提供更高的性能、显著降低的功耗和更小的封装尺寸。
这些开关的超低电容和电荷注入使其成为数据采集和采样保持应用的理想解决方案，在这些应用中需要低故障和快速稳定。快速的切换速度加上高信号带宽，使得设备适合视频信号切换。
iCMOS结构确保了超低功耗，使设备非常适合便携式和电池供电的仪器。
ADG1211/ADG1122YRUZ-REEL/ADG1213包含四个独立的单极/单掷（SPST）开关。ADG1211和ADG1212YRUZ-REEL的不同之处仅在于数字控制逻辑反相。ADG1211开关在适当的控制输入上使用逻辑0打开，而ADG1212需要逻辑1。ADG1213有两个开关，其数字控制逻辑与ADG1211相似；逻辑在其他两个开关上反转。ADG1213具有用于多路复用器应用的先断后合开关动作。
每一个开关在接通时在两个方向上都传导良好，并且具有延伸到电源的输入信号范围。在关闭状态下，高达电源的信号电平被阻断。
产品亮点
特色
- 1 pF截止电容
- 2.6 pF电容
- <1 pC电荷注入
- 33 V电源范围
- 120Ω导通电阻
- 在±15 V、+12 V时完全指定
- 无需VL供应
- 3 V逻辑兼容输入
- 铁路对铁路运营
- 16导联TSSOP和16导联LFCSP
- 典型功耗（<0.03µW）
- 下载（pdf）
- 军用温度范围：−55°C至+125°C
- 受控制造基线
- 一个组装/测试现场
- 一个制造场地
- 增强的产品更改通知
- 根据要求提供资格数据
- V62/12617 DSCC图纸编号
应用
- 自动测试设备
- 数据采集系统
- 电池供电系统
- 取样和保持系统
- 音频信号路由
- 视频信号路由
- 通信系统
（图片：引出线）
