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IXA55I1200HJ是IGBT 1200V 84A 290W TO247，包括IXA55I2200HJ系列，它们设计用于管式包装，单位重量显示在数据表注释中，用于0.186952盎司，提供安装方式功能，如通孔，商品名设计用于XPT，以及ISOPLUS247？包装箱，该设备也可以用作标准输入类型。此外，安装类型为通孔，该设备在ISOPLUS247中提供？供应商设备包，该设备具有单一配置，功率最大值为290W，集电器Ic最大值为84A，集电器-发射极击穿最大值为1200V，IGBT类型为PT，最大Vge Ic上的Vce为2.1V@15V，50A，开关能量为4.5mJ（开），5.5mJ（关），栅极电荷为190nC，测试条件为600V，50A、15 Ohm，15V，Pd功耗为290 W，最大工作温度范围为+150 C，最小工作温度范围-55 C，集电极-发射极电压VCEO Max为1200 V，集电极/发射极饱和电压为1.8 V，25 C时的连续集电极电流为84 A，栅极-发射极漏电流为500 nA，最大栅极-发射极电压为20 V，且连续集电极电流Ic Max为54A。
IXA60IF1200NA是IGBT 1200V 88A SOT-227B，包括1200V集电极-发射极击穿最大值，它们设计用于2.1V@15V，50A Vce on Max Vge Ic，单位重量显示在数据表注释中，用于1.340411盎司，提供XPT等商标功能，供应商设备包设计用于SOT-227A，以及IXA60IF 1200NA系列，该器件也可以用作IGBT硅模块产品。此外，最大功率为290W，该设备提供290 W Pd功耗，该设备有一个封装管，封装盒为SOT-227-4，miniBLOC，NTC热敏电阻为No，安装类型为SMD/SMT，安装类型是机箱，螺柱安装，最低工作温度范围为-55 C，最高工作温度范围+150 C，最大栅极发射极电压为20V，输入为标准，IGBT类型为PT，栅极发射极漏电流为500nA，集电极Ic最大值为88A，集电极截止电流最大值为100μA，25℃时的连续集电极电流为88A，集电极-发射极饱和电压为1.8V。
带有电路图的IXA605WJZZQ IXA605wJZQ以O-NEW封装形式提供，是IC芯片的一部分。
