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IXDN604PI是栅极驱动器4A双低侧超快Mosfet DRV,包括IXDN604系列,它们设计用于Mosfet栅极驱动器产品,类型如数据表说明所示,用于双低侧超快速Mosfet驱动器,提供管等封装功能,单位重量设计为工作在0.080001盎司,以及通孔安装样式,该设备也可以用作Clare商标,其最大工作温度范围为+125℃,最小工作温度范围-40℃,该设备的工作电源电流为10 uA,输出电流为4 a,下降时间为8 ns,上升时间为9 ns,电源电压最大值为35 V,电源电压最小值为4.5 V,包装箱为DIP-8,驱动程序数为2个驱动程序。
IXDN604SI是由IXYS制造的4A双低端超快Mosfet DRV栅极驱动器。IXDN604SI采用SOIC-8封装,是PMIC栅极驱动器的一部分,支持栅极驱动器4A双低端超快Mosfet DRV、低端栅极驱动器IC非反相8-SOIC-EP、驱动器4A 2-OUT低端非反相汽车8引脚SOIC EP管。
IXDN604SIA是由IXYS制造的门驱动器4A双低端超快Mosfet DRV。IXDN604SIA采用SOP-8封装,是PMIC-栅极驱动器的一部分,支持栅极驱动器4A双低端超快Mosfet DRV、低端栅极驱动器IC非反相8-SOIC、驱动器4A 2-OUT低端非反相汽车8引脚SOIC管。