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MC33153DR2

  • 描述:闸门类型: IGBT,N通道MOSFET 驱动器配置: 低压侧 通道类型: 单个的 电源电压: 11伏~20伏 供应商设备包装: 8-SOIC 安装类别: 表面安装
  • 品牌: 安盛美 (onsemi)
  • 交期:5-7 工作日
渠道:
  • 自营
  • 得捷
  • 贸泽

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  • 单价: ¥17.74511
  • 数量:
    - +
  • 总计: ¥17.75
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规格参数

  • 驱动器配置 低压侧
  • 高侧最大电压 (自举) -
  • 安装类别 表面安装
  • 包装/外壳 8-SOIC (0.154", 3.90毫米 Width)
  • 供应商设备包装 8-SOIC
  • 制造厂商 安盛美 (onsemi)
  • 输入类别 反相
  • 闸门类型 IGBT,N通道MOSFET
  • 工作温度 -40摄氏度~150摄氏度(TJ)
  • 通道类型 单个的
  • 部件状态 过时的
  • 驱动器数量 one
  • 电源电压 11伏~20伏
  • 逻辑电压-VIL、VIH 1.2伏、3.2伏
  • 波峰值电流输出 (灌入,提拉) 1A、2A
  • 上升/下降时长(典型值) 17ns, 17ns

MC33153DR2 产品详情

MC33153DR2专门设计为IGBT驱动器,用于高功率应用,包括交流感应电机控制、无刷直流电机控制和不间断电源。虽然设计用于驱动分立和模块IGBT,但该器件为驱动功率MOSFET和双极晶体管提供了一种经济高效的解决方案。设备保护功能包括选择去饱和或过电流传感和欠压检测。这些设备有双列直插式和表面安装式两种封装,包括以下功能:

特色

  • 高电流输出级:1.0 A源/2.0 A汇
  • 传统和感应IGBT的保护电路
  • 可编程故障消隐时间
  • 过电流和短路保护
  • 针对IGBT的欠压锁定优化
  • 负栅极驱动能力
  • 经济高效地驱动功率MOSFET和双极晶体管
  • 提供无铅包装


(图片:引出线)

MC33153DR2所属分类:栅极驱动器,MC33153DR2 由 安盛美 (onsemi) 设计生产,可通过久芯网进行购买。MC33153DR2价格参考¥17.745105,你可以下载 MC33153DR2中文资料、PDF数据手册、Datasheet数据手册功能说明书,可查询MC33153DR2规格参数、现货库存、封装信息等信息!

安盛美 (onsemi)

安盛美 (onsemi)

onsemi正在推动节能创新,使客户能够减少全球能源使用。该公司提供全面的节能电源和信号管理、逻辑、离散和定制解决方案组合,以帮助设计工程师解决其在汽车、通信、计算、消费、工业、LED照明、医疗、军事/...

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