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HIP6601BCBZ是IC驱动器MOSFET DUAL 8-SOIC，包括HIP6601B系列，它们设计用于半桥型，包装如数据表注释所示，用于管交替包装，提供单位重量功能，如0.019048盎司，安装类型设计用于SMD/SMT，以及表面安装封装外壳，其工作温度范围为20ns，20纳秒。此外，安装类型为0°C~125°C（TJ），该设备具有独立功能，该器件具有8-SOIC（0.154“，3.90mm宽）供应商设备包，分辨率位为2，数据接口为同步，电压供应模拟为非反相，电压供应数字为15V，配置为反相非反相，ADC DAC数量为，Sigma Delta为10.8V~13.2V，输出数量为2，其最大工作温度范围为+85 C，其最小工作温度范围为0℃，输出电流为730 mA，下降时间为20 ns，上升时间为50 ns，电源电压最大值为13.2 V，驱动器数量为2个驱动器。
HIP6601BCBZA是IC驱动器MOSFET DUAL 8-SOIC，包括15V数字电源，它们设计用于非反相模拟电源，单位重量如数据表注释所示，用于0.019048盎司，提供半桥等类型功能，电源电压最大值设计用于13.2 V，以及8-SOIC（0.154“，3.90mm宽）供应商设备包，该设备也可以用作10.8 V ~ 13.2 V Sigma Delta。此外，该系列为HIP6601B，该设备的上升时间为50ns，该设备具有2个分辨率位，封装为管交替封装，封装外壳为表面安装，输出电流为730mA，其工作温度范围为20ns、20ns，输出数量为2，驱动器数量为2个驱动器，ADC DAC数量为，安装类型为SMD/SMT，安装类型为0°C~125°C（TJ），最小工作温度范围为0 C，最大工作温度范围+85 C，功能独立，下降时间为20 ns，数据接口为同步，配置为反相非反相。
HIP6601BCB-T是集成电路DRVR MOSFET SYNC BUCK 8-SOIC，包括同步数据接口，它们设计为在0°C~125°C（TJ）安装类型下工作，ADC DAC的数量如数据表注释所示，用于中，其工作温度范围为20ns、20ns，封装外壳设计为在表面安装以及磁带和卷轴（TR）封装中工作，该设备也可以用作2个分辨率位。此外，Sigma Delta的电压为10.8V~13.2V，该器件采用8-SOIC（0.154“，3.90mm宽）供应商器件封装，该器件具有半桥类型，模拟电源为非反相，数字电源为15V。
