HIP4086AB是三相桥N沟道MOSFET驱动器IC。HIP4086AB专门针对PWM电机控制。它使基于桥梁的设计简单而灵活。与HIP4081一样，HIP4086AB具有灵活的输入协议，用于驱动每种可能的开关组合。与HIP4081不同，用户可以在开关磁阻应用中忽略直通保护。与HIP4081相比，HIP4086降低了驱动电流（0.5A vs 2.5A），并且具有更宽的可编程停滞时间范围（0.25µs至4.5µs），如HIP4082。HIP4086AB适用于需要DC至100kHz的应用。与以前的系列成员不同，HIP4086AB具有可编程的低电压设定点。
另请参阅HIP4083，三相仅上MOSFET驱动器，了解针对小型电机优化的低电流解决方案。
特征
•以三相桥配置独立驱动6个N沟道MOSFET
•引导电源最大电压至95VDC
•7V至15V的偏置电源操作
•1.25A峰值关断电流
•用户可编程停滞时间（0.25µs至4.5µs）
•电荷泵和自举保持上偏置电源
•可编程引导刷新时间
•驱动1000pF负载，典型上升时间为20ns，下降时间为10ns
•DIS（禁用）超控输入控制
•输入逻辑阈值与5V至15V逻辑电平兼容
•停滞时间禁用功能
•可编程欠压设定点
应用
•无刷电机
•交流电机驱动
•开关磁阻电机驱动器
•电池驱动车辆
特色
- 在三相桥配置中独立驱动6个N沟道MOSFET
- 自举电源最大电压高达95VDC，偏置电源为7V至15V
- 1.25A峰值关断电流
- 用户可编程停滞时间（0.5μs至4.5μs）
- 自举和可选的电荷泵保持高侧驱动器偏置电压。
- 可编程引导刷新时间
- 驱动1000pF负载，典型上升时间为20ns，下降时间为10ns
- 可编程欠压设定点
（图片：引出线）
