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NCV33152DR2

  • 描述:闸门类型: N通道MOSFET 驱动器配置: 低压侧 通道类型: 独立的 电源电压: 6.1V ~ 18V 供应商设备包装: 8-SOIC 安装类别: 表面安装
  • 品牌: 安盛美 (onsemi)
  • 交期:5-7 工作日
渠道:
  • 自营
  • 得捷
  • 贸泽

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  • 单价: ¥18.86051
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    - +
  • 总计: ¥18.86
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规格参数

  • 驱动器配置 低压侧
  • 通道类型 独立的
  • 驱动器数量 two
  • 高侧最大电压 (自举) -
  • 安装类别 表面安装
  • 包装/外壳 8-SOIC (0.154", 3.90毫米 Width)
  • 供应商设备包装 8-SOIC
  • 制造厂商 安盛美 (onsemi)
  • 输入类别 非反相
  • 闸门类型 N通道MOSFET
  • 工作温度 -40摄氏度~150摄氏度(TJ)
  • 波峰值电流输出 (灌入,提拉) 1.5A,1.5A
  • 部件状态 过时的
  • 逻辑电压-VIL、VIH 0.8伏、2.6伏
  • 电源电压 6.1V ~ 18V
  • 上升/下降时长(典型值) 36ns, 32ns

NCV33152DR2 产品详情

LMV331是一个单通道通用低压比较器。LMV393和LMV339分别为双通道和四通道版本。LMV331/393/339具有2.7V至5.0伏的性能,具有优异的输入共模范围、低静态电流,并有多种节省空间的封装。LMV331有5引脚SC70和TSOP-5封装,LMV393有8引脚Micro8和SOIC-8封装,LMV339采用14引脚SOIC14和TSSOP14封装。LMV331/393/339是节省空间、低电压操作和低功率是便携式应用电路设计的主要规格的应用的成本效益解决方案。

特色

  • 保证2.7 V和5.0 V性能
  • 低压应用性能
  • 输入共模电压范围延伸至接地
  • 轨对轨输入性能
  • 有线OR应用的漏极开路输出
  • 数字逻辑接口能力
  • 低静态电流:60 A/通道TYP@5.0 V
  • 低压便携式应用
  • 低饱和电压200 mV TYP@5.0 V
  • 确保信号检测的低输出电压
  • 传播延迟200 ns典型值@5.0 V
  • 信号检测的快速响应

应用

  • 电池监测器
  • 通用低压应用
  • 笔记本和PDA应用程序
  • 通用便携式设备


(图片:引出线)

NCV33152DR2所属分类:栅极驱动器,NCV33152DR2 由 安盛美 (onsemi) 设计生产,可通过久芯网进行购买。NCV33152DR2价格参考¥18.860512,你可以下载 NCV33152DR2中文资料、PDF数据手册、Datasheet数据手册功能说明书,可查询NCV33152DR2规格参数、现货库存、封装信息等信息!

安盛美 (onsemi)

安盛美 (onsemi)

onsemi正在推动节能创新,使客户能够减少全球能源使用。该公司提供全面的节能电源和信号管理、逻辑、离散和定制解决方案组合,以帮助设计工程师解决其在汽车、通信、计算、消费、工业、LED照明、医疗、军事/...

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