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MC33152DR2

  • 描述:闸门类型: N通道MOSFET 驱动器配置: 低压侧 通道类型: 独立的 电源电压: 6.1V ~ 18V 供应商设备包装: 8-SOIC 安装类别: 表面安装
  • 品牌: 安盛美 (onsemi)
  • 交期:5-7 工作日
渠道:
  • 自营
  • 得捷
  • 贸泽

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  • 单价: ¥187.28691
  • 数量:
    - +
  • 总计: ¥187.29
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规格参数

  • 驱动器配置 低压侧
  • 通道类型 独立的
  • 驱动器数量 two
  • 高侧最大电压 (自举) -
  • 安装类别 表面安装
  • 包装/外壳 8-SOIC (0.154", 3.90毫米 Width)
  • 供应商设备包装 8-SOIC
  • 制造厂商 安盛美 (onsemi)
  • 输入类别 非反相
  • 闸门类型 N通道MOSFET
  • 工作温度 -40摄氏度~150摄氏度(TJ)
  • 波峰值电流输出 (灌入,提拉) 1.5A,1.5A
  • 部件状态 过时的
  • 逻辑电压-VIL、VIH 0.8伏、2.6伏
  • 电源电压 6.1V ~ 18V
  • 上升/下降时长(典型值) 36ns, 32ns
  • 种类 -
  • 特点 -

MC33152DR2 产品详情

描述
MC34152/MC33152DR2是双非反相高速驱动器,专为需要低电流数字信号以驱动高转换率的大电容负载的应用而设计。这些器件具有低输入电流,使其与CMOS/LSTTL逻辑兼容,输入滞后可实现与输入转换时间无关的快速输出切换,以及两个高电流图腾柱输出,非常适合驱动功率MOSFET。还包括一个带滞后的欠压锁定,以防止系统在低电源电压下不稳定运行。
典型应用包括开关电源、直流-直流转换器、电容充电泵倍压器/逆变器和电机控制器。
该设备有双列直插式和表面安装两种封装。
特征
•两个独立通道,1.5 A图腾柱输出
•输出上升和下降时间为15 ns,负载为1000 pF
•具有滞后的CMOS/LSTTL兼容输入
•带滞后的欠压锁定
•低待机电流
•高效的高频操作
•使用通用开关调节器控制IC增强系统性能
•需要现场和变更控制的汽车和其他应用的NCV前缀
•这些是无铅和无卤化物设备

特色

  • 两个独立通道,带1.5 A图腾柱输出
  • 1000 pF负载时15 ns的输出上升和下降时间
  • 具有滞后的CMOS/LSTTL兼容输入
  • 带滞后的欠压锁定
  • 低待机电流
  • 高效的高频操作
  • 使用通用开关调节器控制IC提高系统性能
  • 提供无铅包装


(图片:引出线)


MC33152DR2所属分类:栅极驱动器,MC33152DR2 由 安盛美 (onsemi) 设计生产,可通过久芯网进行购买。MC33152DR2价格参考¥187.286908,你可以下载 MC33152DR2中文资料、PDF数据手册、Datasheet数据手册功能说明书,可查询MC33152DR2规格参数、现货库存、封装信息等信息!

安盛美 (onsemi)

安盛美 (onsemi)

onsemi正在推动节能创新,使客户能够减少全球能源使用。该公司提供全面的节能电源和信号管理、逻辑、离散和定制解决方案组合,以帮助设计工程师解决其在汽车、通信、计算、消费、工业、LED照明、医疗、军事/...

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