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HIP6601BECBZA-T是集成电路DRVR MOSFET SYNC BUCK 8EPSOIC，包括半桥型，它们设计用于磁带和卷轴（TR）封装，数据表注释中显示了用于表面安装的封装盒，其工作温度范围为20ns、20ns，安装型设计用于0°C~125°C（TJ），除了8-SOIC（0.154“，3.90mm宽）暴露焊盘供应商设备包外，该设备还可以用作2个分辨率位。此外，数据接口是同步的，该设备提供非反相模拟电源，该设备具有15V的数字电源，ADC DAC的数量为，Sigma Delta为10.8V~13.2V。
HIP6601BECBZ是IC DRVR MOSFET SYNC BUCK 8EPSOIC，包括15V数字电源，它们设计用于非反相模拟电源，类型如数据表注释所示，用于半桥，提供供应商器件封装功能，如8-SOIC（0.154英寸，3.90mm宽）Sigma-Delta暴露垫设计用于10.8V~13.2V，以及2个分辨率位，该设备也可以用作管包装。此外，封装外壳为表面安装，其工作温度范围为20ns、20ns，设备具有数个ADC DAC，安装类型为0°C~125°C（TJ），数据接口为同步。
HIP6601BECBZA是集成电路DRVR MOSFET SYNC BUCK 8EPSOIC，包括同步数据接口，它们设计为在0°C~125°C（TJ）安装类型下工作，ADC DAC的数量如数据表注释所示，用于a中，其工作温度范围为20ns、20ns，封装外壳设计为在表面安装以及管封装中工作，该设备也可以用作2个分辨率位。此外，Sigma Delta的电压为10.8V~13.2V，该器件采用8-SOIC（0.154“，3.90mm宽）外露焊盘供应商器件封装，该器件具有半桥类型，模拟电源为非反相，数字电源为15V。
