L6390DTR

L6390DTR是使用BCD？“离线”技术。它是用于N沟道功率MOSFET或IGBT的单片半桥栅极驱动器。高压侧（浮动）部分能够与高达600 V的电压轨一起工作。

两个设备输出可分别为430 mA和290 mA。通过联锁和可编程死区功能确保防止交叉传导。
该设备具有用于每个输出的专用输入引脚和关闭引脚。逻辑输入为CMOS/TTL兼容，低至3.3V，便于与控制设备连接。低侧和高侧部分之间的匹配延迟确保无周期失真，并允许高频操作。
L6390DTR嵌入了一个运算放大器，适用于磁场定向电机控制或无传感器BEMF检测等应用中的高级电流传感。该设备还集成了具有高级智能SD功能的比较器，确保快速有效地防止过电流、过热等故障事件。
L6390DTR设备在下部和上部驱动部分还具有UVLO保护，防止电源开关在低效率或危险条件下工作。
集成自举二极管以及该IC的所有集成功能使应用PCB设计更容易、更紧凑和简单，从而减少了整体材料清单。
该设备有SO-16管、胶带和卷轴包装选项。

特色