起订量: 2000
| 数量 | 单价 | 合计 |
|---|---|---|
| 2000+ | 6.73176 | 13463.53800 |
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L6389EDTR是一种高压栅极驱动器，采用BCD？“离线”技术，能够驱动功率MOSFET/IIGBT器件的半桥。高压侧（浮动）部分能够与高达600 V的电压轨一起工作。两个设备输出可以分别为650 mA和400 mA，并且由于集成的联锁功能，不能同时驱动高电压。死区功能可进一步防止输出交叉传导。
L6389EDTR设备具有两个输入和两个输出引脚，并确保输出与输入同相。逻辑输入与CMOS/TTL兼容（3.3V、5V和15V），以便于与控制设备的接口。
自举二极管集成在驱动器中，从而实现了更紧凑、更可靠的解决方案。
L6389EDTR设备在两个电源电压（V科科斯群岛和V靴子)确保对供电线路上的电压降提供更大的保护。
该设备有SO-8管、胶带和卷轴包装选项。
器件图 | 型号 | 制造商 | 描述 | 价格 |
|---|---|---|---|---|
 | L6385ED013TR | 意法半导体 (STMicroelectronics) | 闸门类型: IGBT，N通道MOSFET 驱动器配置: 半桥 通道类型: 独立的 电源电压: 17V（最大值） 供应商设备包装: 8-SOIC 安装类别: 表面安装 | ¥6.17956 |
 | L6387ED013TR | 意法半导体 (STMicroelectronics) | 闸门类型: IGBT，N通道MOSFET 驱动器配置: 半桥 通道类型: 独立的 电源电压: 17V（最大值） 供应商设备包装: 8-SOIC 安装类别: 表面安装 | ¥30.84523 |
 | L6388ED013TR | 意法半导体 (STMicroelectronics) | 闸门类型: IGBT，N通道MOSFET 驱动器配置: 半桥 通道类型: 独立的 电源电压: 17V（最大值） 供应商设备包装: 8-SOIC 安装类别: 表面安装 | ¥2.51176 |
 | L6392D | 意法半导体 (STMicroelectronics) | 闸门类型: IGBT，N通道MOSFET 驱动器配置: 半桥 通道类型: 独立的 电源电压: 12.5V ~ 20V 供应商设备包装: 14-SO 安装类别: 表面安装 | ¥16.94839 |
 | L6390D | 意法半导体 (STMicroelectronics) | 闸门类型: IGBT，N通道MOSFET 驱动器配置: 半桥 通道类型: 独立的 电源电压: 12.5V ~ 20V 供应商设备包装: 16-SO 安装类别: 表面安装 | ¥17.60025 |
 | L6391D | 意法半导体 (STMicroelectronics) | 闸门类型: IGBT，N通道MOSFET 驱动器配置: 半桥 通道类型: 独立的 电源电压: 12.5V ~ 20V 供应商设备包装: 14-SO 安装类别: 表面安装 | ¥17.96239 |
 | L6387DTR | 意法半导体 (STMicroelectronics) | 闸门类型: IGBT，N通道MOSFET 驱动器配置: 半桥 通道类型: 独立的 电源电压: 17V（最大值） 供应商设备包装: 8-SOIC 安装类别: 表面安装 | ¥27.20433 |
 | L6370L | 意法半导体 (STMicroelectronics) | 开关种类: 一般用途 输出类别: n通道 输入比率 / 输出比率: 1:1 输出配置: 高端 负载电压: 9.5V ~ 35V 供应商设备包装: 11多瓦 | ¥5.83778 |
 | L63B3S001-AZZ00-000 | SWITCH ROCKER | ¥0.00 | |
| L63D1S001-AZZ00-000 | SWITCH ROCKER | ¥0.00 |
意法半导体是一家全球独立的半导体公司，在开发和提供微电子应用领域的半导体解决方案方面处于领先地位。硅和系统专业知识、制造实力、知识产权（IP）组合和战略合作伙伴的无与伦比的结合使该公司处于片上系统（So...
