MIC4100/1是高频100V半桥MOSFET驱动器IC,具有快速30ns传播延迟时间。低侧和高侧栅极驱动器被独立控制,并匹配到典型的3ns以内。MIC4100具有CMOS输入阈值,MIC4101YM具有TTL输入阈值。MIC4100/1包括一个高压内部二极管,为高压侧栅极驱动自举电容器充电。一个坚固、高速、低功耗的电平转换器为高压侧输出提供干净的电平转换。MIC4100/1的稳健操作有助于确保输出不受电源故障、HS地面以下振铃或高速电压转换的HS回转的影响。低侧和高侧驱动器均提供欠压保护。MIC4100可用于SOIC-8L封装,结工作范围为-40°C至+125°C。
特色
- 自举电源最大电压为118V DC
- 电源电压高达16V
- 驱动具有独立输入的高侧和低侧N沟道MOSFET
- CMOS输入阈值(MIC4100)
- TTL输入阈值(MIC4101)
- 片上自举二极管
- 快速30ns传播时间
- 驱动1000pF负载,上升和下降时间为10ns
- 低功耗
- 电源欠压保护
- 3Ω上拉,3Ω下拉输出电阻
- 节省空间的SOIC-8L封装
- -40°C至+125°C结温范围