特色
- 在半桥或全桥配置中独立驱动4个N沟道FET
- 引导电源最大电压至95VDC
- 在50°C的自由空气中以1MHz的频率驱动1000pF负载,上升和下降时间通常为10ns
- 用户可编程停滞时间
- 片上电荷泵和自举上偏压电源
- DIS(禁用)超控输入控制
- 输入逻辑阈值与5V至15V逻辑电平兼容
- 极低功耗
- 欠电压保护
- 无铅可用
起订量: 1
温馨提示: 请填写以下信息,以便客户代表及时与您沟通联系。
Renesas Electronics Corporation通过完整的半导体解决方案提供值得信赖的嵌入式设计创新,使数十亿连接的智能设备能够改善人们的工作和生活方式—安全可靠。作为微控制器...