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R2J20602NP#G3是集成电路MOSFET DRVR 12V 40A 56-QFN，包括Digi-ReelR替代封装，它们设计用于56-FQFN暴露焊盘封装盒，数据表中显示了用于DrMOS的技术，其工作温度范围为-40°C~150°C（TJ），安装类型设计用于表面安装，以及状态标志功能，该设备也可以用作降压转换器应用。此外，接口为PWM，该设备提供7 V~7.8 V电压供应，该设备具有56-HVQFN（8x8）供应商设备包，故障保护为限流、过温、短路、UVLO，输出配置为半桥，负载类型为电感，电流峰值输出为40A，电压负载为7 V~7.8V。
带用户指南的R2J20602NP#13，包括7 V~7.8 V电源，设计用于在7 V~7.8V电压负载下运行。数据表注释中显示了用于DrMOS的技术，该DrMOS提供供应商设备包功能，如56-HVQFN（8x8）。包装设计用于切割带（CT）以及56-FQFN暴露焊盘包装盒，该设备也可以用作半桥输出配置，其工作温度范围为-40°C~150°C（TJ），该设备为表面安装安装型，该设备具有负载感应型，接口为PWM，功能为状态标志，故障保护为电流限制、过温、短路、UVLO，电流峰值输出为40A，应用是降压转换器。
R2J20602NP，带有RENESAS制造的电路图。R2J20602NP采用QFN-56封装，是PMIC全半桥驱动器的一部分。
R2J20602NP-G305，带有RENESAS制造的EDA/CAD模型。R2J20602NP-G305采用QFN封装，是IC芯片的一部分。
