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IXDD414YI是IC MOSFET DRVR LS 14A SGL 5TO263，包括低侧型，它们设计用于管式封装，数据表注释中显示了用于表面安装的封装盒，其工作温度范围为25ns、22ns，安装型设计用于-55°C～150°C（TJ），以及to-263-6、D2Pak（5引线+接线片）、to-263BA供应商设备封装，该设备也可以用作1分辨率位。此外，数据接口是单一的，该设备提供非反相电压源模拟，该设备具有数个ADC DAC，Sigma-Delta为4.5V~35V，S/N比ADC DAC db Typ为0.8V、3.5V，动态范围ADC DAC db Typ为14A、14A。
IXDD415SI是IC MOSFET DRVR DUAL 15A 28-SOIC，包括非反相模拟电源，它们设计用于低侧类型，供应商设备包如数据表注释所示，用于28-SOIC（0.295“，7.50mm宽），提供了S N比率ADC DAC db Typ功能，例如0.8V、3.5V，Sigma Delta设计用于8V~30V以及2个分辨率位，该设备还可以用作管封装。此外，封装外壳为表面安装，其工作温度范围为4.5ns、3.5ns，设备具有多个ADC DAC，安装类型为-40°C~150°C（TJ），动态范围ADC DAC db Typ为15A、15A，数据接口独立。
IXDD414SI是集成电路MOSFET DRVR 14A LOSIDE 14SOIC，包括单数据接口，它们设计用于14A、14A动态范围ADC DAC db Typ，安装类型如数据表注释所示，适用于-55°C~150°C（TJ），提供多种ADC DAC功能，例如，其工作温度范围为25ns、22ns，以及表面安装封装外壳，该装置也可以用作管包装。此外，分辨率位为1，该器件提供4.5 V~35 V Sigma Delta，该器件具有0.8V、3.5V的S/N比ADC DAC db Typ，供应商器件封装为14-SOIC（0.154“，3.90mm宽），类型为低侧，电压源模拟为非反相。
