说明：
LM5112SD/NOPB器件MOSFET栅极驱动器在微小的6引脚WSON封装（SOT-23等效封装）或8引脚暴露焊盘MSOP封装中提供高峰值栅极驱动电流，改善了高频操作所需的功耗。复合输出驱动器级包括并联操作的MOS和双极晶体管，它们一起从电容负载吸收超过7A的峰值。结合MOS和双极器件的独特特性，减少了驱动电流随电压和温度的变化。提供欠压锁定保护以防止由于栅极导通电压不足而损坏MOSFET。LM5112SD/NOPB器件提供反相和非反相输入，以满足单个器件类型的反相和非反向栅极驱动的要求。
特征
•LM5112-Q1通过汽车认证应用
•AEC-Q100 1级合格
•按照汽车级流程制造
•复合CMOS和双极输出减少
输出电流变化
•7-A漏极和3-A源极电流
•快速传播时间：25 ns（典型）
•快速上升和下降时间：14 ns或12 ns
2-nF负载下的上升或下降
•反相和非反相输入提供
单个设备的配置
•供电轨欠压锁定保护
•专用输入接地（IN_REF）
分供或单供操作
•功率增强型6针WSON封装
（3 mm×3 mm）或热增强型
MSOP PowerPAD包
•从VCC到VEE的输出摆动，相对于输入接地为负
应用：
•直流到直流开关模式电源
•交流至直流开关模式电源
•太阳能微型逆变器
•电磁阀和电机驱动
特色
- LM5112-Q1获得汽车应用资格
- AEC-Q100 1级合格
- 按汽车级流程制造
- 复合CMOS和双极输出减少输出电流变化
- 7-A漏极和3-A源极电流
- 快速传播时间：25 ns（典型）
- 快速上升和下降时间：14 ns或12 ns上升或下降，负载为2-nF
- 反相和非反相输入可提供具有单个设备的任一配置
- 供电轨欠压锁定保护
- 分开供电或单电源操作的专用输入接地（IN_REF）
- 功率增强型6针WSON封装（3mm×3mm）或热增强型MSOP PowerPAD封装
- 从VCC到VEE的输出摆动，相对于输入接地为负
LM5112器件MOSFET栅极驱动器在微小的6引脚WSON封装（SOT-23等效封装）或8引脚暴露焊盘MSOP封装中提供高峰值栅极驱动电流，改善了高频操作所需的功耗。复合输出驱动器级包括并联操作的MOS和双极晶体管，它们一起从电容负载吸收超过7A的峰值。结合MOS和双极器件的独特特性，减少了驱动电流随电压和温度的变化。提供欠压锁定保护以防止由于栅极导通电压不足而损坏MOSFET。LM5112器件提供反相和非反相输入，以满足单个器件类型的反相和非反向栅极驱动的要求。
